阿摩線上測驗
1 如圖所示之場效電晶體電路，則此電晶體工作在：
(A) 飽和區（Saturation Region）
(B)截止區（Cutoff Region）
(C)三極管區（Triode Region）
(D)主動區（Active Region）
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統計： A(205), B(13), C(27), D(41), E(0) #1510429
統計： A(205), B(13), C(27), D(41), E(0) #1510429
詳解 (共 5 筆)
hchungw
#5916854
截止區 (Cut-off Region)：
在此區域，閘源電壓 (Vgs) 小於截止電壓 (Vt 或 Vth)。對於N型MOSFET，這意味著閘極電壓小於閾值電壓。
此時FET是關閉的，沒有任何電流從漏極 (Drain) 到源極 (Source) 流過。
FET在此模式下工作就像一個開關的“關”狀態。
飽和區 (Saturation Region)：
稱為FET的“開啟”狀態。
N型MOSFET中，當閘源電壓 (Vgs) 大於閾值電壓 (Vt)，且漏極至源極電壓 (Vds) 大於 (Vgs - Vt) 時，FET會進入飽和區。
在飽和區，源至漏的電流 Id 趨近於一個常數，並不隨 Vds 的增加而增加。
線性區或工作區 (Ohmic or Triode Region)：
在此區域，FET表現得像一個可變的電阻。
N型MOSFET中，當閘源電壓 (Vgs) 大於閾值電壓 (Vt)，但漏極至源極電壓 (Vds) 小於 (Vgs - Vt) 時，FET會在此區工作。
源至漏的電流 Id 會隨 Vds 的增加而增加，這與金屬電阻中的Ohm定律類似。
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