5 如圖所示一矽場效電晶體（Si FET）元件的剖面結構，各層使用不同材料，圖中僅標示某假想製程厚 度，此電晶體的臨界電壓（threshold voltage）的絕對值為 |Vth| = 0.5 V 。VD1 = 2 V，VD2 = -2 V，VD = 2 V， VE = -2 V。若 VE 由-2 V 增加到-3 V，試判斷此電晶體的臨界電壓的絕對值|Vth|如何變化？phppkVZC0.png
(A) |Vth| 增加
(B) |Vth |減少
(C) |Vth |不受影響
(D) |Vth| 會受影響，但增加或減少由接面的功函數（work function, φf）決定

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統計： A(121), B(57), C(42), D(35), E(0) #1510433

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#2829741
基板電壓效應：當基板(B)和源極(S)接...
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#3404461

從原本的電壓，可以分析出D G S B極的位置

(因通常B和S會接在一起，故VB = VS)

if  VB 不等於 VS ，則VSB↑，|Vth|↑

5cfcb25530ef6.jpg

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#2262610
Body effect
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#2197858
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私人筆記#7592310
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私人筆記#1860546
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一般而言，源極電壓與基板電壓兩者接在一起...




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私人筆記#5708487
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初等/五等/佐級◆電子學大意&nb...

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