106年 - 106 初等考試_電子工程：電子學大意#59474

1 如圖所示之場效電晶體電路，則此電晶體工作在： (A) 飽和區（Saturation Region） (B)截止區（Cutoff Region） (C)三極管區（Triode Region） (D)主動區（Active Region）

4 如圖所示為理想運算放大器電路，若運算放大器的正負輸出飽和電壓為 ± 12 V，二極體導通時兩端電 壓為 0.7 V，輸入電壓 V_I 為+2 V，則 V_A 為若干 V？ (A) -2.7  (B)1.3 (C)2.7 (D)+12

5 如圖所示一矽場效電晶體（Si FET）元件的剖面結構，各層使用不同材料，圖中僅標示某假想製程厚 度，此電晶體的臨界電壓（threshold voltage）的絕對值為 |V_th| = 0.5 V 。V_D1 = 2 V，V_D2 = -2 V，V_D = 2 V， V_E = -2 V。若 V_E 由-2 V 增加到-3 V，試判斷此電晶體的臨界電壓的絕對值|V_th|如何變化？ (A) |V_th| 增加(B) |V_th |減少 (C) |V_th |不受影響 (D) |V_th| 會受影響，但增加或減少由接面的功函數（work function, φ_f）決定

7 有一矽雙極性接面電晶體（Si-BJT）電路及輸入接腳 v i1、v i2 的電壓波形如圖所示，V _CC = 5 V， R₁ = R₂ = 1 kΩ，R₃ = R₄ = 100 Ω，C_L = 5 μF，電晶體電流增益 β_Q1 = β_Q2 = 100。試研判電晶體 Q₁ 在時 間點 0 最可能的工作模式： (A)飽和模式（Saturation mode） (B)線性模式（Linear mode） (C)主動模式（Active mode） (D)截止模式（Cut-off mode）

8 如圖所示為一 NMOS 構成的放大器。若 V_DD = 3V，電晶體之 μ_nC_ox = 200 μA/V²，W/L = 10，V_th = 0.5 V。 試問電晶體的過驅電壓 V_OV 為多少？(A)0.5 V 
(B)1 V 
(C)1.5 V 
(D)3 V 

11 如圖所示運算放大器電路中，若電壓增益 A 為無限大且抵補電壓（offset voltage）V_OS 不計，試求輸 出電壓 V_o =？ (A)8 V  (B)6 V (C)4 V (D)2 V

12 差動式放大器中，共模斥拒比（common-mode rejection ratio）定義為 CMRR ≡| A_d| / |A_cm |，其中 Ad 為 差動增益、A_cm 為共模增益，試問就差動式放大器的 CMRR 設計，下列何者正確？ (A) CMRR = 0 (B)CMRR = 1 (C)CMRR << 1 (D)CMRR >> 1

13 輸入有正弦信號 vi(t) = Vmsin(ωt)伏特的理想箝位電路如圖所示，當測得電容器所跨電壓為 8 伏特且輸 出信號 vo(t)的最小值為-18 伏特時，求 V_m 與 V_R 之總和電壓為多少伏特？ (A)-10 V (B)10 V (C)12 V (D)26 V 

15 如圖所示的二極體-電容器倍壓電路中，變壓器與所有二極體均視為理想且變壓器之輸入為一弦波， 當電路到達穩定狀態時 VC1 = 12 伏特，有關二極體 D₁~D₃ 承受之逆向峰值電壓 PIV1~PIV3（單位均 伏特）之敘述，何者正確？ (A)PIV1 = 12 V  (B)PIV2 = 24 V(C)PIV3 = 36 V (D)PIV3 = 2PIV1

16 截波電路（D 為理想二極體）中的偏壓電源 V_R = 6 伏特，配合圖示之週期性輸入三角波信號決定該 二極體 D 於單一週期輸入信號中導通的百分比為多少？ (A)25% (B)50% (C)60% (t) (D)75%

17 如圖所示之電路，假如二極體為理想，求其輸出電壓之平均值為何？ (A)11.6 V (B)21.6 V (C)30.6 V (D)110 V

18 如圖所示之電路，假如二極體為理想，求其輸出電壓之平均值為何？ (A)35.01 V (B)-35.01 V (C)49.52 V + (D)-49.52 V 

19 如圖所示的二極體電路，二極體 D₁ 與 D₂ 為理想，此電路轉移函數（transfer funciton）中的轉折點之 輸入及輸出電壓為何？ (A)-1 V 及 -1 V  (B)-1 V 及 -2 V (C)-2 V 及 -1 V (D)-2 V 及 -2 V

20 如圖所示之電路包含三個串接的二極體及兩個串接電阻，若 V_IN 為 10 V 且二極體的開啟電壓（turn-on voltage）為 0.8 V，求 V_OUT？ (A)2.4 V (B)6.2 V (C)10 V (D)12.4 V 

21 如圖所示之電路中，若變壓器二次側 v_s = Vm sinωt，則 i_D1 之波形為何？ (A) (B) (C) (D)

23 如圖所示之放大器電路，電晶體 J 之參數如下：I_DSS = 8 mA，V_P = -4 V，求此電路之小信號輸出阻抗 值為何？ (A)1 kΩ (B)1/2 kΩ (C)1/3 kΩ (D)1/4 kΩ

24 如圖所示之放大器電路，電晶體 M 之參數如下：V_th = 0.4 V，μ_nC_ox = 200 μA/V²，且 λ = 0，若此放大 器電路之小信號電壓增益值為 0.85，則此電晶體 M 之 W/L 最接近下列何值？ (A)267 (B)367 (C)467 (D)567

25 如圖所示之放大器電路，假設此電路之輸入阻抗為 50 Ω，輸出阻抗為 150 Ω，且 λ = 0；求此放大器 電路之小信號電壓增益值為何？ (A)1 (B)3  (C)5 (D)50

26 如圖所示之放大器電路，假設電晶體 M 之參數如下：μ_nC_oxW/L= 0.2 mA/V²，V_th = 2 V，且 λ = 0；求 此放大器電路之小信號輸入電阻 R_i 之值為何？ (A)416 kΩ  (B)516 kΩ (C)616 kΩ (D)716 kΩ 

27 如圖所示之電路，假定 β = 100 且 V_EB(on) = 0.6 V，求 V_EC 之值為何？ (A)2.1 V (B)2.5 V  (C)2.9  (D)3.3 V 

28 如圖所示之共射極放大器，其偏壓電路的主要優點為何？ (A)所需偏壓電阻較小  (B)可操作於較低的電壓 (C)放大器的增益較大 (D)電晶體必定操作在主動區

29 如圖所示電路中，若輸出端 V_X 的直流電壓為 3 V，電晶體的 V_GS 為 1.5 V，求 R₁/R₂ 為何？ (A)1/3 (B)2/3 (C)3/2 (D)2/5

30 如圖所示之共閘極放大器，若要使電壓增益提升為原有值的兩倍，下列敘述何者錯誤？ (A)將 R_L 變成兩倍 (B)將轉導 g_m 變成兩倍 (C)將過驅電壓（V_GS－V_TH）變成 1/2 倍 (D)將 I_D 變成兩倍

31 如圖所示之 BJT 電路，假設 Q₁ 與 Q₂ 特性相同，V_T = 25 mV 且 β = 100，求輸出電阻 Z_out？ (A)2.5 Ω (B)5 Ω (C)7.5 Ω (D)10 Ω

33 如圖所示為一方波產生電路，於某個時間點測得其中電壓 Vf 值為 10 伏特，其中施加於理想 OPA 之 電壓為 ± 15 V，則電路輸出訊號的頻率約為多少？ (A)1.55 kHz (B)3.25 kHz  (C)6.75 kHz (D)8.25 kHz 

34 如圖一與圖二所示，為由 R₁、R₂ 與理想 OPA 所構成的兩種不同施密特觸發電路，OPA 均採用相同 的操作電源電壓，R₁= 2 kΩ。若兩電路之輸出電壓 v_o 均為正值時，圖一與圖二之 v_i 臨界電壓分別為-10 及 6 伏特，則 R₂ 為多少？ (A)1 kΩ (B)2 kΩ(C)3 kΩ  (D)4 kΩ

 35 如圖所示電路為 CMOS 放大器，下列有關電容 C₁ 功能之敘述，何者正確？ (A)旁路電容（bypass capacitor） (B)耦合電容（coupling capacitor） (C)頻率補償電容（frequency compensation capacitor） (D)濾波電容（filter capacitor）

38 如圖所示為一施密特（Schmitt）觸發器，OP AMP 輸出的上下限為 ± 12 V。若要使輸出由負轉正時， vi 應到達何值？ (A)-10 V (B)-2 V  (C)2 V (D)10 V 

39 如圖所示電晶體放大器電路加上旁路電容 C_E 後，放大器的中頻段電壓增益會有什麼變化？ (A)變無窮大 (B)變小 (C)不變  (D)變大 

40 如圖所示為韋恩電橋振盪器（Wien-Bridge oscillator），已知 R = 10 kΩ 和 C = 16 nF，試求振盪頻率 f_o 約為多少？  (A)1 kHz(B)2 kHz (C)6.25 kHz (D)12.5 kHz