13 如圖所示之MOS電路，Q1、Q2及Q5為增強型P通道MOSFET，Q3、Q4及Q6為增強型N通道MOSFET ，則輸出Y為：

13 如圖所示之MOS電路，Q₁、Q₂及Q₅為增強型P通道MOSFET，Q₃、Q₄及Q₆為增強型N通道MOSFET ，則輸出Y為：

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統計： A(4), B(37), C(5), D(5), E(0) #1108681

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雪菓菓

B1 · 2018/12/06

#3102571

Q5.Q6相當於notAB 00,Q1....

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21 如圖所示為兩級串接RC耦合放大器電路，電晶體Q1與Q2之參數為VBE1＝VBE2＝0.7 V，β1＝β2＝100，又Vcc ＝20 V且R1＝R5＝4 kΩ，R2＝R6＝1 kΩ，R3＝R4＝R7＝R8＝1 kΩ，當以直流分析此電路時，圖中IB1及 IE2之電流值約為？ (A)IB1＝0.03 mA且IE2＝3.2 mA (B)IB1＝0.19 mA且IE2＝10 mA(C)IB1＝0.19 mA且IE2＝19 mA (D)IB1＝2.2 mA且IE2＝10 mA

13 如圖所示之MOS電路，Q₁、Q₂及Q₅為增強型P通道MOSFET，Q₃、Q₄及Q₆為增強型N通道MOSFET ，則輸出Y為：

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