試題詳解

13 考慮一加強型NMOS電晶體，於V_GS = 3.3 V且 V_DS = 2 V時量得電流 I_D = 1.5 mA，同一製程之電晶體 若在相同操作電壓下欲得到更大之電流，可藉由下列何項方式達成？
(A)選擇閘氧化層（gate oxide）厚度較厚之元件
(B)選擇通道長度（channel length）較長之元件
(C)選擇通道寬度（channel width）較大之元件
(D)使基板（substrate）偏壓由 V_SB = 0V至V_SB = 2V