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初等/五等/佐級◆電子學大意
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100年 - 100 原住民族特種考試_五等_電子工程:電子學大意#45324
> 試題詳解
7 下列那一類功率放大器電晶體導通角度最小:
(A)A類
(B) AB 類
(C)B類
(D)C類
答案:
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統計:
A(8), B(3), C(4), D(37), E(0) #1197176
詳解 (共 1 筆)
Bi
B1 · 2018/05/24
#2811320
(A)A類 360度導通 (B) AB ...
(共 160 字,隱藏中)
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8 編號 7805 的穩壓積體電路,一般應用於多少伏特的穩壓電路: (A)-5V (B)-12V (C) 12V (D) 5V
#1197177
9 一差動放大器之共模拒斥比CMRR=1000,差模增益Ad = 50,兩個輸入訊號分別為 150 μV及 50 μV,則 輸出電壓為下列何者? (A) 0.5005 mV (B) 5.005 mV (C) 50.05 mV (D) 500.5 mV
#1197178
10 差動放大器能消除下列何種雜訊? (A)同相單端輸入雜訊 (B)同相雙端輸入雜訊 (C)反相單端輸入雜訊 (D)反相雙端輸入雜訊
#1197179
11 如圖,欲使此四對一多工器執行 NAND 運算,如其輸出所示,則輸入信號(a, b, c, d)應為何種資料? (A)(0, 0, 0, 1) (B)(0, 0, 1, 1) (C)(1, 1, 0, 0) (D)(1, 1, 1, 0)
#1197180
12 如圖所示之CMOS電路,輸出F與VDD之間為pFETs元件組態,輸出F與接地之間為nFETs元件組態, 則其輸出F為: (A) (B)(x + y)(w + z) (C)(x + w)(y + z) (D)
#1197181
13 考慮一加強型NMOS電晶體,於VGS = 3.3 V且 VDS = 2 V時量得電流 ID = 1.5 mA,同一製程之電晶體 若在相同操作電壓下欲得到更大之電流,可藉由下列何項方式達成? (A)選擇閘氧化層(gate oxide)厚度較厚之元件 (B)選擇通道長度(channel length)較長之元件 (C)選擇通道寬度(channel width)較大之元件 (D)使基板(substrate)偏壓由 VSB = 0V至VSB = 2V
#1197182
14 如圖,此兩輸入端(two-input)之二極體(diode)邏輯電路,可執行何項運算? (A) NOT (B) AND (C) ORD) NAND
#1197183
15 如圖之二極體電路,若輸入波vS為正弦波,且其週期為T,則電路之輸出波形最接近下列何者﹖ (A) (B) (C)(D)
#1197184
16 理想運算放大器具有虛擬短路(virtual short circuit)性質時,主要是因為那兩端之間存在回授電路所 致? (A)反相端(inverting terminal)與輸出端(output node)之間 (B)非反相端(non-inverting terminal)與輸出端(output node)之間 (C)反相端(inverting terminal)與接地(ground)之間 (D)非反相端(non-inverting terminal)與接地(ground)之間
#1197185
17 在室溫下,考慮一pn接面矽半導體,p側之電子濃度為 1×107 cm-3,n側之電洞濃度為 1×105 cm-3,當 施加一逆向偏壓時,空乏區之分布應為下列何者? (A)大部分空乏區位於 n 側 (B)大部分空乏區位於 p 側 (C)n 側空乏區與 p 側空乏區一樣大 (D)p 側沒有空乏區
#1197186
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