試題詳解

17 在室溫下，考慮一pn接面矽半導體，p側之電子濃度為 1×10⁷ cm^-3，n側之電洞濃度為 1×10⁵ cm^-3，當 施加一逆向偏壓時，空乏區之分布應為下列何者？
(A)大部分空乏區位於 n 側
(B)大部分空乏區位於 p 側
(C)n 側空乏區與 p 側空乏區一樣大
(D)p 側沒有空乏區