17 在室溫下，考慮一pn接面矽半導體，p側之電子濃度為 1×107 cm-3，n側之電洞濃度為 1×105 cm-3，當 施加一逆向偏壓時，空乏區之分布應為下列何者？
(A)大部分空乏區位於 n 側
(B)大部分空乏區位於 p 側
(C)n 側空乏區與 p 側空乏區一樣大
(D)p 側沒有空乏區

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統計： A(24), B(19), C(3), D(0), E(0) #1197186

詳解 (共 1 筆)

#3316420
要把P側換成電洞濃度 NA=Ni2/ (...
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