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初等/五等/佐級◆電子學大意
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100年 - 100 原住民族特種考試_五等_電子工程:電子學大意#45324
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試題詳解
試卷:
100年 - 100 原住民族特種考試_五等_電子工程:電子學大意#45324 |
科目:
初等/五等/佐級◆電子學大意
試卷資訊
試卷名稱:
100年 - 100 原住民族特種考試_五等_電子工程:電子學大意#45324
年份:
100年
科目:
初等/五等/佐級◆電子學大意
23 承上題,若R
1
= 40 kΩ,且電晶體參數:K
n
= 0.25 mA/V
2
,V
TN
= 2 V,λ= 0。飽和區之電流方程式為 I
Dn
= K
n
(V
GSN
– V
TN
)
2
,則偏壓電流I
Q
之大小最接近那一個數值?
(A) 0.1 mA
(B) 0.2 mA
(C) 0.3 mA
(D) 0.4 mA
正確答案:
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詳解 (共 3 筆)
Jhong
B1 · 2017/04/05
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未解鎖
求解
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1
0
kai
B4 · 2017/06/07
推薦的詳解#2251450
未解鎖
ID=K(Vds-Vt)^2 , ID=...
(共 42 字,隱藏中)
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0
1
Ma
B2 · 2017/05/24
推薦的詳解#2212087
未解鎖
求解~~
(共 6 字,隱藏中)
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