23 承上題,若R1 = 40 kΩ,且電晶體參數:Kn = 0.25 mA/V2,VTN = 2 V,λ= 0。飽和區之電流方程式為 IDn = Kn(VGSN – VTN)2,則偏壓電流IQ之大小最接近那一個數值?
(A) 0.1 mA
(B) 0.2 mA
(C) 0.3 mA
(D) 0.4 mA

答案:登入後查看
統計: A(3), B(18), C(2), D(18), E(0) #1197192

詳解 (共 3 筆)

#1884015
求解
(共 4 字,隱藏中)
前往觀看
1
0
#2251450
ID=K(Vds-Vt)^2 , ID=...
(共 42 字,隱藏中)
前往觀看
0
1
#2212087
求解~~
(共 6 字,隱藏中)
前往觀看
0
0