阿摩線上測驗
登入
首頁
>
初等/五等/佐級◆電子學大意
>
101年 - 101 原住民族特種考試_五等_電子工程:電子學大意#37197
> 試題詳解
15 如圖所示之電路,若BJT操作在順向主動區(forward active region),轉導值(g
m
)為 10 mA/V,β=40,若忽略元件之輸出阻抗(r
o
),試求V
o
/ V
i
=?
(A)-100
(B)-80
(C)-50
(D)-20
答案:
登入後查看
統計:
A(15), B(46), C(2), D(2), E(0) #1074411
詳解 (共 1 筆)
sv(邀請碼232196)
B1 · 2017/06/14
#2268752
AV=-10k / (1/gm + 1k...
(共 32 字,隱藏中)
前往觀看
12
0
私人筆記 (共 1 筆)
Alice
2025/12/27
私人筆記#7678610
未解鎖
(共 0 字,隱藏中)
前往觀看
2
0
其他試題
11 場效電晶體(FET)工作在飽和區(saturation region)的轉導(transconductance)gm定義為: (A) ,即當電壓vDS固定於VDS,電流iD對電壓vDS的變化率 (B),即當電壓vGS固定於VGS,電流iD對電壓vGS的變化率 (C) ,即當電壓vDG固定於VDG,電流iG對電壓vDG的變化率 (D) ,即當電壓vGS固定於VGS,電流iG對電壓vGS的變化率
#1074407
12 如圖所示之電路,若MOSFET之轉導值(gm)= 1 mA/V,且操作於飽和區(saturation region),C2 > C1。下列敘述何者錯誤? (A)增加C2 將提升低頻之-3 dB頻率(ωL) 1 kΩ 1 kΩ (B)減少C1 將提升低頻之-3 dB頻率(ωL) (C)本電路為同相放大器 (D)加大gm將提升放大器之低頻-3 dB頻率(ωL)
#1074408
13 如圖的共集(CC)放大器(其偏壓電路未繪示),設電晶體工作於主動模式(active mode),其小訊號參數gm、re、rπ均為已知,輸出電阻ro→∞,則此放大器之輸入電阻Rin(不含Rsig)為: (A)rπ + RL(B)re + RL(C)(β+1)(rπ + RL)(D)(β+1)(re + RL)
#1074409
14 理想電壓放大器的輸入阻抗與輸出阻抗分別為: (A)∞、∞ (B)0、∞ (C)∞、0 (D) 0、0
#1074410
16 雙極性接面電晶體(BJT)共射接線組態下,射極–地間的電阻常並聯一電容(Emitter bypass capacitor),此電容之目的為: (A)降低射極的直流電壓 (B)升高射極的直流電壓 (C)提高輸入電阻值 (D)改善電壓增益
#1074412
17 如圖之MOS差動放大器(differential amplifier),Q1=Q2,其臨界電壓(threshold voltage)Vt=0.5 V,爾利電壓(Early voltage)VA→∞。當VG1=VG2=0 時,若電晶體工作於飽和模式(saturation mode),其汲 極電流ID與閘源電壓VGS的關係為ID=2(VGS-Vt)2 (mA)。 則當VG1=VG2=0 時,RD之最大值可為多大,而仍可維持電晶體工作於飽和模式? (A)3 kΩ (B)4 kΩ (C)5 kΩ (D)6 kΩ
#1074413
18 圖示電路中vo為輸出電壓,本電路是何種電路? (A)濾波器 (B)加法器 (C)緩衝器 (D)差動放大器
#1074414
複選題19 如圖所示之電路,若MOSFET操作在飽和區(saturation region)且轉導值(gm)為A/V;BJT操作在順向主動區(forward active region)且轉導值(gm)為A/V,β=100。若忽略元件之輸出阻抗(ro),試求Vo/Is=?(本題送分) (A)-1000 kΩ (B)-500 kΩ (C)-250 kΩ (D)-125 kΩ
#1074415
20 某串級放大器,若第一級電壓增益為 40 dB,第二級電壓增益為 20 dB,則總電壓增益為何? (A)20 dB (B)60 dB (C)800 dB (D)1000 dB
#1074416
21 圖中理想運算放大器電路的放大增益為何? (A)4.5 V/V (B) 5.5 V/V (C)9 V/V (D)10 V/V
#1074417