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初等/五等/佐級◆電子學大意
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102年 - 102 初等考試_電子工程:電子學大意(重複)#46151
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15 所謂的本質(Intrinsic)半導體是指:
(A)只有受體(Acceptors)加入
(B)除晶體原子外,沒有摻雜其他雜質
(C)只有施體(Donors)加入
(D)導電率接近導體的晶體材料
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統計:
A(1), B(87), C(2), D(5), E(0) #1204386
私人筆記 (共 1 筆)
Alice
2025/12/21
私人筆記#7657601
未解鎖
本質半導體(Intrinsic Sem...
(共 317 字,隱藏中)
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其他試題
11 下列何者屬揮發性記憶體? (A)Flash (B)Mask ROM (C)DRAM (D)E2PROM
#1204382
12 對於理想電壓放大器(Voltage Amplifier)特性之敘述,下列何者正確? (A)輸入阻抗為 0 (B)輸出阻抗為 0 (C)輸出阻抗無限大 (D)輸出阻抗與電流放大器特性相同
#1204383
13 對一般雙極性電晶體而言,如果 β 值要大,電晶體的選擇是: (A)NPN 電晶體,基極寬度要大 (B)NPN 電晶體,基極寬度要小 (C)PNP 電晶體,基極寬度要大 (D)NPN 電晶體,基極寬度與 β 值無關
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14 增強型 MOSFET 的導通通道如何形成? (A)基板(Substrate)表面的多數載體因電場作用形成 (B)基板表面的少數載體因電場作用形成 (C)以擴散技術在基板表面形成 (D)以離子植入在基板表面形成
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16 如圖所示,不可能表達何種元件? (A)光遮斷器 (B)光電晶體 (C)光耦合器 (D)光伏特電池(Photovoltaic Cell)
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17 如圖所示,二極體的導通電壓為 0.7 V,順向電阻為 100 Ω,則當 V1 = 0 V 、 V2 = 5 V 時, Vo 之電壓約 為: (A)1 V (B)2 V (C)3 V (D)4 V
#1204388
18 下列雪崩型感光二極體(APD)的特性及應用敘述,那一個錯誤? (A)它是操作在足夠大的逆向偏壓下 (B)照光很容易產生雪崩倍增,讓電流增益變大 (C)它的 PN 接面設計一般會非常遠離光照表面 (D)元件對光的調變響應可高至微波範圍
#1204389
複選題19 如圖所示的電源供應器,若輸入電源為 120 VAC,60 Hz,橋式整流後的濾波電容為 20,000 μF,則在 50 Ω 負載端的漣波約為: (A)0.1 V (B)1 V (C)1.5 V (D)2 V
#1204390
20 如圖電路中運算放大器為理想者,且其輸出之最大值為 5 V ,最小值為 − 5 V ,二極體之導通電壓為 0.7 V ,若 Vi = −1 V ,則 Vo 值為何? (A)0 V (B)0.7 V (C)5 V (D)-5 V
#1204391
21 雙極性接面電晶體之共基極電流增益 α = 0.99 ,其共射極電流增益 β 等於: (A)99 (B)119 (C)199 (D)200
#1204392