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初等/五等/佐級◆電子學大意
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102年 - 102 初等考試_電子工程：電子學大意（重複）#46151
科目：
初等/五等/佐級◆電子學大意 |
年份：
102年 |
選擇題數：
40 |
申論題數：
0
試卷資訊
所屬科目：
初等/五等/佐級◆電子學大意
選擇題 (40)
1 如圖所示之電路， v
a
= 100 sin ωt V ， v
b
= 100 sin(ωt − 120°) V ， v
c
= 100 sin(ωt − 240°) V ，求其平均輸出電壓為何？
(A)82.7 V (B)92.7 V (C)102.7 V (D)112.7 V
.
2 以下關於 CMOS 傳輸閘的描述，何者正確？ (A)NMOS 的基體與外部電壓正值相連 (B)PMOS 的基體與外部電壓負值相連 (C)PMOS 和 NMOS 上的閘極控制電壓互補 (D)傳輸閘導通時輸入和輸出互補
3 一 DRAM 單元上使用 30 fF 的電容，在 6 ms 時間之內需更新一次。若電容上可容許 1 V 的信號損失， 則此單元中最大可容忍的漏電流約為多少？ (A)1 pA (B)2 pA (C)5 pA (D)10 pA
4 下列有兩放大器應用電路，U1 與U2 為理想運算放大器，輸出電壓侷限在-10 V到+10 V之間，電阻 R
1
、R
2
、R
3
、R
4
均相等，若輸入電壓Vi1 及Vi2 為 2 sin(ωt)V之正弦波，試研判Vo1 與Vo2 之輸出響應 。
(A)Vo1 為-/+10 V、Vo2＝4 sin(ωt)V
(B)Vo1＝4 sin(ωt)V、Vo2 為-/+10 V
(C)Vo1、Vo2 均為-/+10 V
(D)Vo1、Vo2 均為 4 sin(ωt)V
5 圖示理想運算放大器電路，若 R
1
= 3 kΩ 、 R
2
= 7 kΩ 、 R
a
= 1 kΩ 、 R
f
= 19 kΩ ， v
1
= 1 V ， v
2
= −1 V ， 則輸出電壓 v
O
為若干 V？
(A)0 (B)4 (C)8 (D)10
6 如圖所示之MOS電路，Q
1
、Q
2
為P通道增強型MOSFET，Q
3
、Q
4
為N通道增強型MOSFET。此電路為何種邏輯閘？
(A)OR 閘 (B)NOR 閘 (C)AND 閘 (D)NAND 閘
7 圖中以G1及G2兩個NOR閘組成RS型正反器（Flip-Flop），下列何者為其正確的反應？
(A) R = 0, S = 0 , Q = 0
(B) R = 1, S = 0 , Q=0
(C) R = 0, S =1, Q = 0
(D) R = 1, S = 1 , Q = 1
8 圖 中 電 路 ， 假 設 V
IN
= 0 ， V
G
= V
DD
， V
DD
= 5 V ， C = 100 f F 。 當 V
O
= VDD ， I
D
= 850 μA 。 當 V
O
= V
DD
/ 2 ， I D = 150 μA 。則此電路的 VO 從 VDD 降至 VDD / 2 所需要的時間約為：
(A)1 ns (B)0.5 ns (C)0.25 ns (D)0.1 ns
9 由理想運算放大器組成的電路，如圖所示。若輸入信號的頻率為 1 /( 2 πRC ) ，則電壓增益 V
O
/ V
IN
的相 位角度（Phase Angle）為：
(A)90 度 (B)45 度 (C)-45 度 (D)-90 度
10 如圖所示電路，稽納（Zener）二極體之限電壓為 V
z
= 5 V ，當電阻值 R
1
= 2 kΩ ， R
2
= 3 kΩ ， R
3
= 6 kΩ ， 輸出電壓 V
o
為：
(A)+10 V (B)-10 V (C)+12 V (D)-12 V
11 下列何者屬揮發性記憶體？ (A)Flash (B)Mask ROM (C)DRAM (D)E2PROM
12 對於理想電壓放大器（Voltage Amplifier）特性之敘述，下列何者正確？ (A)輸入阻抗為 0 (B)輸出阻抗為 0 (C)輸出阻抗無限大 (D)輸出阻抗與電流放大器特性相同
13 對一般雙極性電晶體而言，如果 β 值要大，電晶體的選擇是： (A)NPN 電晶體，基極寬度要大 (B)NPN 電晶體，基極寬度要小 (C)PNP 電晶體，基極寬度要大 (D)NPN 電晶體，基極寬度與 β 值無關
14 增強型 MOSFET 的導通通道如何形成？ (A)基板（Substrate）表面的多數載體因電場作用形成 (B)基板表面的少數載體因電場作用形成 (C)以擴散技術在基板表面形成 (D)以離子植入在基板表面形成
15 所謂的本質（Intrinsic）半導體是指： (A)只有受體（Acceptors）加入 (B)除晶體原子外，沒有摻雜其他雜質 (C)只有施體（Donors）加入 (D)導電率接近導體的晶體材料
16 如圖所示，不可能表達何種元件？
(A)光遮斷器 (B)光電晶體 (C)光耦合器 (D)光伏特電池（Photovoltaic Cell）
17 如圖所示，二極體的導通電壓為 0.7 V，順向電阻為 100 Ω，則當 V
1
= 0 V 、 V
2
= 5 V 時， V
o
之電壓約 為：
(A)1 V (B)2 V (C)3 V (D)4 V
18 下列雪崩型感光二極體（APD）的特性及應用敘述，那一個錯誤？ (A)它是操作在足夠大的逆向偏壓下 (B)照光很容易產生雪崩倍增，讓電流增益變大 (C)它的 PN 接面設計一般會非常遠離光照表面 (D)元件對光的調變響應可高至微波範圍
複選題
19 如圖所示的電源供應器，若輸入電源為 120 VAC，60 Hz，橋式整流後的濾波電容為 20,000 μF，則在 50 Ω 負載端的漣波約為：
(A)0.1 V (B)1 V (C)1.5 V (D)2 V
20 如圖電路中運算放大器為理想者，且其輸出之最大值為 5 V ，最小值為 − 5 V ，二極體之導通電壓為 0.7 V ，若 V
i
= −1 V ，則 V
o
值為何？
(A)0 V (B)0.7 V (C)5 V (D)-5 V
21 雙極性接面電晶體之共基極電流增益 α = 0.99 ，其共射極電流增益 β 等於： (A)99 (B)119 (C)199 (D)200
22 順向偏壓二極體的小訊號電阻 r
d
，與通過二極體的直流電流 I
D
，兩者的關係為： (A) r
d
∝ I D (B) r
d
∝ √I
D
(C) r
d
∝ 1 / I
D
(D)兩者間無關聯
23 射極隨耦器（Emitter Follower）常作阻抗匹配之用，有關其輸入端與輸出端的阻抗敘述，下列何者 正確？ (A)高輸入阻抗，高輸出阻抗 (B)高輸入阻抗，低輸出阻抗 (C)低輸入阻抗，高輸出阻抗 (D)低輸入阻抗，低輸出阻抗
24 在高頻的共射極電晶體電路中， C
be
及 C
bc
分別為 B 與 E 及 B 與 C 間之極際電容，下列敘述何者正確？ (A) C
bc
為回饋電容，米勒效應（Miller effect）使輸入電容加大 (B) C
be
為回饋電容，米勒效應使輸入電容加大 (C)米勒電容與 C
be
及 C
bc
無關 (D)米勒電容與電壓放大率 A V 無關
25 圖 a 為無負載的放大器電路，圖 b 為有負載電阻 R
L
的放大器電路，圖 c 為有電源電阻 R
S
及負載電阻 R
L
的放大器電路。圖 a、圖 b 及圖 c 的電壓增益分別為 A
va
, A
vb
及 A
vc
。三個圖中的電壓增益由大到小 順序為：
(A) A
va
> A
vb
> A
vc
(B) A
vb
> A
vc
> A
va
(C) A
vc
> A
va
> A
vb
(D) A
va
= A
vb
= A
vc
26 一個 N 通道增強型場效電晶體的汲極電流不為零，則其 V
GS
的值為： (A)負值 (B)零 (C)正值 (D)正、負皆可
27 圖中電路 V
D
= 12 V 而 V
GS
= −2 V ，則其 R
S
為：
(A)1.35 kΩ (B)2.82 kΩ (C)3.36 kΩ (D)5.10 kΩ
28 如圖所示之雙極性接面電晶體（BJT）放大器，已知電晶體參數 β (= I
c
/ I
b
) 為 100，不考慮電晶體集 極到射極的交流輸出阻抗 r
o
的影響，則此放大器的輸入阻抗 Z
i
(= V
i
/ I
i
) 約為多少？
(A)2.2 kΩ (B)110 kΩ (C)220 kΩ (D)300 kΩ
29 如圖共基極偏壓電路中，求出 I
EQ
與 V
CEQ
值。
(A) I
EQ
= 3.50 mA ， V
CEQ
= 4.50 V
(B) I
EQ
= 2.50 mA ， V
CEQ
= 3.50 V v
(C) I
EQ
= 2.75 mA ， V
CEQ
= 4.10 V
(D) I
EQ
= 5.50 mA ， V
CEQ
= 6.50 V
30 圖中振盪器之振盪頻率約為何？
(A) √10 × 10
10
rad/sec (B) 10
10
rad/sec (C) √10 × 10
9
rad/sec (D) 10
9
rad/sec
31 雙極性電晶體（BJT）的爾利效應（Early effect），是指： (A) V
BE
隨溫度變化的現象 (B) I
C
隨溫度變化的現象 (C) I
C
隨 V
BC
逆偏壓改變的現象 (D) I
C
隨 V
BE
偏壓改變的現象
32 如圖 a 所示為具有信號源電阻 R
s
和負載電阻 R
L
的放大器電路，設 r
e
= 5.6 Ω ， β = 100 ， r
o
= ∞Ω 。圖 b 為在 390 kΩ >> 10β r
e
條件下的交流等效電路，其中 R
s
= 280 Ω，R
L
= 4.7 kΩ，則電壓增益 A
v
(= V
o
/ V
s
) 約為：
(A)-257 (B)-183 (C)-2.75 (D)-1
33 參考圖中增強型 MOSFET 的偏壓電路，選擇正確的工作特性圖：
34 多級放大器的最後一級，因電路與負載之阻抗匹配，常使用何種放大器組態？ (A)共射極（Common Emitter） (B)共基極（Common Base） (C)共集極（Common Collector） (D)共閘極（Common Gate）
35 如圖所示電路，電晶體 Q
1
與 Q
2
有相同特性，若 V
CC
= 20 V ，V
EE
= −10 V ，電阻 R
1
= R
2
= R
3
= 5 kΩ ， V
1
= V
2
= 0 V ，輸出電壓 V
o
約為何值？
(A)20 V (B)15 V (C)10 V (D)5 V
36 圖為疊接放大器（Cascode Amplifier），關於其中電晶體 Q
2
的作用，下列敘述何者錯誤？
(A)降低米勒效應 V
CC
(B)增加放大器頻寬 (C)增加輸出阻抗 R
C
(D)降低 V
CC
電壓
37 有關圖中電路之敘述，下列何者正確？
(A)此為低通濾波器 (B)此為高通濾波器 (C)其高頻增益為
(D)C 越大則低頻 − 3 dB 頻率越高
38 如圖所示電路，若 R
1
= R
2
= 1 kΩ ， R
3
= R
5
= 2 kΩ ， R
4
= R
6
= 3 kΩ ， C
1
= 0.05 μF ， C
2
= 0.15 μF ，則 輸入訊號為下列何種頻率之弦波時不會被截止？
(A)200 Hz (B)2 kHz (C)20 kHz (D)200 kHz
39 如圖所示電路，為兩級串接直接耦合放大器電路，其中 R
1
= 200 kΩ ， R
2
= R
3
= 3 kΩ ， R
4
= R
5
= 2 kΩ ， 電晶體 Q
1
與 Q
2
之特性相同 其參數值如圖所示 則此電路之小訊號輸入阻抗 Z
i
及小訊號輸出阻抗 Z
o
約為：
(A) Z
i
= 1 kΩ ， Z
o
= 1 kΩ
(B) Z
i
= 1 kΩ ， Z
o
= 2 kΩ
(C) Z
i
= 200 kΩ ， Z
o
= 1 kΩ
(D) Z
i
= 200 kΩ ， Z
o
= 2 kΩ
40 圖中電路之振盪器由三級反相器所組成，若單一級反相器之傳遞延遲為 1ns，則振盪器之振盪頻率約 為何？
申論題 (0)
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(A)82.7 V (B)92.7 V (C)102.7 V (D)112.7 V
(A)Vo1 為-/+10 V、Vo2＝4 sin(ωt)V 
(A)0 (B)4 (C)8 (D)10
(A)OR 閘 (B)NOR 閘 (C)AND 閘 (D)NAND 閘 
(A)90 度 (B)45 度 (C)-45 度 (D)-90 度
(A)+10 V (B)-10 V (C)+12 V (D)-12 V
(A)光遮斷器 (B)光電晶體 (C)光耦合器 (D)光伏特電池（Photovoltaic Cell）
(A)1 V (B)2 V (C)3 V (D)4 V
(A)0.1 V (B)1 V (C)1.5 V (D)2 V
(A)0 V (B)0.7 V (C)5 V (D)-5 V 
(A)1.35 kΩ (B)2.82 kΩ (C)3.36 kΩ (D)5.10 kΩ 
(A)2.2 kΩ (B)110 kΩ (C)220 kΩ (D)300 kΩ 
(A)-257 (B)-183 (C)-2.75 (D)-1
(A)20 V (B)15 V (C)10 V (D)5 V 
(A)降低米勒效應 VCC (B)增加放大器頻寬 (C)增加輸出阻抗 RC (D)降低 VCC 電壓
(A)此為低通濾波器 (B)此為高通濾波器 (C)其高頻增益為
(D)C 越大則低頻 − 3 dB 頻率越高 
(A)200 Hz (B)2 kHz (C)20 kHz (D)200 kHz
