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初等/五等/佐級◆電子學大意
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102年 - 102 初等考試_電子工程:電子學大意(重複)#46151
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6 如圖所示之MOS電路,Q
1
、Q
2
為P通道增強型MOSFET,Q
3
、Q
4
為N通道增強型MOSFET。此電路為何種邏輯閘?
(A)OR 閘
(B)NOR 閘
(C)AND 閘
(D)NAND 閘
答案:
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統計:
A(5), B(51), C(6), D(9), E(0) #1204377
詳解 (共 1 筆)
秋砯
B1 · 2019/05/21
#3364523
A=0 B=0 , Q1、Q2 導通...
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12
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私人筆記 (共 1 筆)
Alice
2025/12/21
私人筆記#7656663
未解鎖
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其他試題
2 以下關於 CMOS 傳輸閘的描述,何者正確? (A)NMOS 的基體與外部電壓正值相連 (B)PMOS 的基體與外部電壓負值相連 (C)PMOS 和 NMOS 上的閘極控制電壓互補 (D)傳輸閘導通時輸入和輸出互補
#1204373
3 一 DRAM 單元上使用 30 fF 的電容,在 6 ms 時間之內需更新一次。若電容上可容許 1 V 的信號損失, 則此單元中最大可容忍的漏電流約為多少? (A)1 pA (B)2 pA (C)5 pA (D)10 pA
#1204374
4 下列有兩放大器應用電路,U1 與U2 為理想運算放大器,輸出電壓侷限在-10 V到+10 V之間,電阻 R1、R2、R3、R4均相等,若輸入電壓Vi1 及Vi2 為 2 sin(ωt)V之正弦波,試研判Vo1 與Vo2 之輸出響應 。 (A)Vo1 為-/+10 V、Vo2=4 sin(ωt)V (B)Vo1=4 sin(ωt)V、Vo2 為-/+10 V (C)Vo1、Vo2 均為-/+10 V (D)Vo1、Vo2 均為 4 sin(ωt)V
#1204375
5 圖示理想運算放大器電路,若 R1 = 3 kΩ 、 R2 = 7 kΩ 、 Ra = 1 kΩ 、 R f = 19 kΩ , v1 = 1 V , v2 = −1 V , 則輸出電壓 vO 為若干 V? (A)0 (B)4 (C)8 (D)10
#1204376
7 圖中以G1及G2兩個NOR閘組成RS型正反器(Flip-Flop),下列何者為其正確的反應? (A) R = 0, S = 0 , Q = 0 (B) R = 1, S = 0 , Q=0 (C) R = 0, S =1, Q = 0 (D) R = 1, S = 1 , Q = 1
#1204378
8 圖 中 電 路 , 假 設 VIN = 0 , VG = VDD , VDD = 5 V , C = 100 f F 。 當 VO = VDD , I D = 850 μA 。 當 VO = VDD / 2 , I D = 150 μA 。則此電路的 VO 從 VDD 降至 VDD / 2 所需要的時間約為: (A)1 ns (B)0.5 ns (C)0.25 ns (D)0.1 ns
#1204379
9 由理想運算放大器組成的電路,如圖所示。若輸入信號的頻率為 1 /( 2 πRC ) ,則電壓增益 VO / VIN 的相 位角度(Phase Angle)為: (A)90 度 (B)45 度 (C)-45 度 (D)-90 度
#1204380
10 如圖所示電路,稽納(Zener)二極體之限電壓為 Vz = 5 V ,當電阻值 R1 = 2 kΩ , R2 = 3 kΩ , R3 = 6 kΩ , 輸出電壓 Vo 為: (A)+10 V (B)-10 V (C)+12 V (D)-12 V
#1204381
11 下列何者屬揮發性記憶體? (A)Flash (B)Mask ROM (C)DRAM (D)E2PROM
#1204382
12 對於理想電壓放大器(Voltage Amplifier)特性之敘述,下列何者正確? (A)輸入阻抗為 0 (B)輸出阻抗為 0 (C)輸出阻抗無限大 (D)輸出阻抗與電流放大器特性相同
#1204383