16 下圖整流電路中，當變壓器一次側之輸入電壓 vi為振幅 110 V 的正弦波且 C 值很大時，則輸出電壓 Vo約為： (A)5.5 V (B)11 V (C)22 V (D)44 V

16 下圖整流電路中，當變壓器一次側之輸入電壓 v_i為振幅 110 V 的正弦波且 C 值很大時，則輸出電壓 V_o約為： phpmRFU59
(A)5.5 V
(B)11 V
(C)22 V
(D)44 V

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統計： A(9), B(108), C(9), D(1), E(0) #1719225

私人筆記 (共 1 筆)

Alice

2025/11/25

私人筆記#7588692

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3 下圖是一矽場效電晶體（Si FET）元件的剖面結構，各層使用不同材料，圖中僅標示某假想製程厚度，此電晶體的臨界電壓（threshold voltage）的絕對值為|Vth| = 0.5 V。VD1 = 2 V，VD2 = -2 V，VD = 2 V， VE = -2 V。試研判此電晶體在目前的偏壓條件下通道電流（Channel current）的主要流動方向？ (A)由右向左水平流動 (B)由左向右水平流動 (C)由上往下垂直流動 (D)由下往上垂直流動

16 下圖整流電路中，當變壓器一次側之輸入電壓 v_i為振幅 110 V 的正弦波且 C 值很大時，則輸出電壓 V_o約為：
(A)5.5 V
(B)11 V
(C)22 V
(D)44 V

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