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試題詳解

試卷：97年 - 97 身心障礙特種考試_五等_電子工程：電子學大意#47167 | 科目：初等/五等/佐級◆電子學大意

試卷資訊

試卷名稱：97年 - 97 身心障礙特種考試_五等_電子工程：電子學大意#47167

年份：97年

科目：初等/五等/佐級◆電子學大意

18 右圖之 CMOS 靜態隨機存取記憶元（SRAM cell）， 下列何方法一定可提高寫入速度？ 
(A)增加 M1，M2元件長度
(B)減少 M1，M2元件寬度
(C)提高 WL 電壓
(D)提高 BL 電壓
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詳解 (共 1 筆)

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