18 右圖之 CMOS 靜態隨機存取記憶元（SRAM cell）， 下列何方法一定可提高寫入速度？ 
(A)增加 M1，M2元件長度
(B)減少 M1，M2元件寬度
(C)提高 WL 電壓
(D)提高 BL 電壓

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統計： A(3), B(11), C(20), D(5), E(0) #1215409

詳解 (共 1 筆)

#3415208
WL提升=>VGS提升=>電...
(共 25 字，隱藏中）
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