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初等/五等/佐級◆電子學大意
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97年 - 97 身心障礙特種考試_五等_電子工程：電子學大意#47167
科目：
初等/五等/佐級◆電子學大意 |
年份：
97年 |
選擇題數：
40 |
申論題數：
0
試卷資訊
所屬科目：
初等/五等/佐級◆電子學大意
選擇題 (40)
1 在共射極放大器組態中，經常會在射極端的外加電阻並聯一旁路電容（Bypass capacitor）。此電容最主要功 能為何？ (A)增加輸入阻抗 (B)增加低頻響應 (C)提高中頻交流增益 (D)節省晶片面積
2 兼具電壓放大與電流放大作用的雙極性接面電晶體電路組態是： (A) CC 組態 (B) CE 組態 (C) CB 組態 (D) CD 組態
3 圖示電路中，已知 K = 2 mA/V
2
，且臨限電壓（threshold voltage） V
t
= -2 V，則源極端電壓為：（提示：I
D
= K(V
GS
– V
t
)
2
）
(A) 2 V (B)-2 V (C)-1 V (D) 1 V
4 若 BJT 功率放大電路中，其直流電路之 I
CQ
= 1 mA，β = 100，此時交流電路之 rπ應為：(A)2.5 kΩ (B) 3.5 kΩ (C) 4.5 kΩ (D) 5.5 kΩ
5 如圖所示為何種電路？
(A)積分電路 (B)穩壓電路 (C)反相放大器 (D)史密特觸發電路（Schmitt trigger circuit）
6 如圖所示電路，其中 R
1
= 10 kΩ，C
1
= 0.001 µF， R
2
= 10 kΩ，R
3
= 20 kΩ，其振盪頻率約為：
(A) 38.9 kHz (B) 15.9 kHz (C) 6.5 kHz (D) 3.2 kHz
7 如圖電路發生振盪時，則 vo輸出波形為：
(A)方波 (B)弦波 (C)三角波 (D)鋸齒波
8 信號產生器產生單一脈波時，是下列何者振盪？ (A)單穩態（Monostable） (B)無穩態（Astable） (C)雙穩態（Bistable） (D)不穩定（Unstable）
9 採用電容耦合之電晶體放大器，在低頻時的頻率響應，主要由下列何項決定？ (A)電晶體的雜散電容 (B)耦合電容 (C)電晶體的耐壓 (D)電晶體的額定電流
10 如圖所示之串級電路，已知 β
1
= β
2
= 50， 則此放大器的電流增益為：
(A) 5 (B) 50 (C) 100 (D) 2500
11 下列何者為 SR 正反器真值表？ (A) R = 0，S = 0；Q
n+1
= 0 (B) R = 0，S = 1；Q
n+1
= 0 (C) R = 1，S = 0；Q
n+1
= 0 (D) R = 1，S = 1；Q
n+1
= 0
12 下列何種電容會影響放大器低頻響應？ (A)極際寄生電容、旁路電容 (B)耦合電容、極際寄生電容 (C)極際寄生電容、雜散電容 (D)耦合電容、旁路電容
13 如圖所示之 CMOS 反相器，其傳播延遲（propagation delay）t
p
與 V
DD
的 關係為何？
(A)要 t
p
減小，應降低 V
DD
值 (B)要 t
p
減小，應增大 V
DD
值 (C) t
p
值與 V
DD
的大小無關 (D) t
p
= 0
14 ECL 閘電路的兩個輸出是： (A) AND、OR (B) AND、NAND (C) OR、NOR (D) NAND、NOR
15 如圖示之隨機存取記憶體（RAM）電路，下列敘述何者正確？
(A)資料主要是儲存在電容 C1 及 C2 中 (B)當 X = 1（高電壓）時，Bit Line 上的資料將寫入（Write） 並儲存到所有連接於 Word Line 上的整列記憶體細胞 （memory cell） (C)當要讀取（Read）資料時，電晶體 Q2 必須導通而電晶 體 Q1 必須截止 (D)此電路不需要使用週期性的更新（periodic refresh）電路
16 當雙極性接面電晶體之 B-E 接面順偏、B-C 接面順偏，此時電晶體是操作在那種區域模式？ (A)飽和區 (B)截止區 (C)順向作用區（forward active region） (D)逆向作用區（reverse active region）
17 雙極性接面電晶體（BJT）工作於作用模式（active mode），由厄列（Early）效應可知 IC與 VCE之關係為何？ (A)呈指數函數變化 (B)呈線性變化 (C)呈倒數關係 (D)無關連
18 右圖之 CMOS 靜態隨機存取記憶元（SRAM cell）， 下列何方法一定可提高寫入速度？
(A)增加 M1，M2元件長度 (B)減少 M1，M2元件寬度 (C)提高 WL 電壓 (D)提高 BL 電壓
19 關於 RAM 與 ROM 的敘述，下列何者錯誤？ (A)當電源中斷時，RAM 的資料會消失 (B)資料一旦存入 ROM，只能讀取而不能任意更改內容 (C) ROM 通常被用於儲存使用者的程式與資料 (D) EEPROM 可以利用電流脈衝來將其資料清除
20 為何在雙極性接面電晶體進入飽和區操作時，操作速度嚴重變慢？ (A)因為大量少數載子累積在基極無法短時間內排出 (B)因為集極發生崩潰效應 (C)因為發生電流擁擠效應 (D)因為熱效應變嚴重
21 圖所示之電路中，BJT 電路之 Vo 值約為：
(A) 2.4 V (B) 3.2 V (C) 4.5 V (D) 5.7 V
22 一達靈頓電路如右圖，已知 Q
1
、Q
2
的 h
fe
= 100， h
ie
= 1 kΩ，h
oe
= 40 kΩ，則其電流增益 A
i
= i
o
/ i
b
值約為：
(A) 0.5 × 10
4
(B) 5 × 10
4
(C) 2.5 × 2.5 × 10
4
(D) 2.5 × 10
5
23 如圖所示的運算放大器應用電路，其電壓增益，
？
24 如圖所示電路，當輸入之正弦波信號在正半週時， 則下列敘述何者正確？
(A) Q
1
導通、Q
2
導通、Q
3
截止、Q
4
截止 (B) Q
1
截止、Q
2
截止、Q
3
導通、Q
4
導通 (C) Q
1
導通、Q
2
截止、Q
3
導通、Q
4
截止 (D) Q
1
截止、Q
2
導通、Q
3
截止、Q
4
導通
25 有一串接的兩級放大器，其中第一級放大器之電壓增益為 60 dB，第二級放大器之電壓增益為 20 dB，若在 第一級放大器輸入端加入峰值為 2 µV 的電壓輸入信號，且串接放大器無負載效應，則在第二級放大器輸出 端之電壓輸出信號的峰值為多少？ (A) 40 mV (B) 20 mV (C) 4 mV (D) 2 mV
26 如圖所示，若欲降低運算放大器之輸入偏壓電流效 應，加入電阻 R
3
，則 R
3
與 R
1
、R
2
間之關係為何？
(A)R
3
= R
1
// R
2
(B)R
1
= R
2
// R
3
(C)R
3
= R
1
+ R
2
(D) R
1
= R
2
+ R
3
27 由運算放大器，電容及電阻組成的微分器，若輸入電壓波形為一三角波時，則輸出電壓波形為： (A)三角波 (B)方波 (C)正弦波 (D)鋸齒波
28 右圖電路中的運算放大器之輸入偏壓電流為 1 µA， 則右圖電路之 Vo – Vi等於：
(A) 0 V (B) 0.1 mV (C) 1 mV (D) 10 mV
29 設如圖電路之運算放大器為理想的， 則由輸入 V
I
看進去的電阻為：
(A)無窮大 (B) R
1
(C) R
1
+ R
2
(D) 0
30 若所有電晶體完全相同 （當電晶體導通時，｜v
BE
|= 0.7 V、α ≅ 1），則 v
E
值為何？ (A) 0 V (B) 0.5 V (C) 0.7 V (D) 1 V
31 承上題，電晶體 Q1 側的 v
C1
電壓值應為多少？ (A)-5 V (B)-3 V (C)-0.7 V (D) 0.5 V
32 承上題，該差動放大電路之電晶體 Q2 側的 v
C2
電壓值應為多少？ (A)-5 V (B)-3 V (C)-0.7 V (D) 0 V
33 已知一個全波整流器的輸入電源為 60 Hz，設計輸出尖峰電壓為 10 V，負載阻抗為 10 kΩ，如要求輸出電壓 漣波要小於 0.2 V，則其並聯電容至少要大於： (A) 83.4 µF (B) 41.7 µF (C) 31.3 µF (D) 20.8 µF
34 今將二極體（diode）視為一理想開關，其特性曲線如圖 2 所示，其中端電壓的參考極性以及電流的參考方 向如各圖所標示。 為：
現有一組二極體電路如圖 3 所示，則估此電路的輸出輸入關係（transfer characteristic）最接近的曲線
35 右列 FET 電路操作於何種區域？
(A)截止區 (B)線性區 (C)飽和區 (D)崩潰區
36 假設使用理想的電容，並將二極體（diode）視為一 理想開關，今輸入交流信號 v
i
= 10 sin(ωt) V，則右列 電路圖的輸出電壓 v
o
在穩態（steady state）時最為接 近的電壓值為：
(A) 20 V (B) 15 V (C)-15 V (D)-20 V
37 在下列 MOSFET 放大器組態中，何者之電壓增益 Av 為最小？ (A) CS 放大器 (B) CG 放大器 (C) CD 放大器 (D)疊接（cascode）放大器
38 pn 接面二極體的逆向飽和電流 Is，隨 pn 兩側雜質濃度的增大而有何變化？ (A)增大 (B)減小 (C)無關 (D)視半導體之材質而定
39 若 V
t
為臨限電壓（threshold voltage），則 n 通道增強型（enhancement type）場效應電晶體在何種條件下是 在飽和區（saturation region）下操作？ (A) v
GS
≤ V
t
(B) v
GS
≥ V
t
(C) v
DS
≤ v
GS
- V
t
(D) v
DS
≥ v
GS
- V
t
40 在 MOSFET 之各參數已確定的情況下，當工作於飽和區（saturation region）時，其跨導 g
m
與汲極電流 I
D
之間的關係為何？ (A) g
m
正比於 I
D
(B) g
m
正比於(1/I
D
) (C) g
m
正比於(I
D
)
1/2
(D) g
m
正比於(I
D
)
-1/2
申論題 (0)
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(A) 2 V
(B)-2 V
(C)-1 V
(D) 1 V
(A)積分電路
(B)穩壓電路
(C)反相放大器
(D)史密特觸發電路（Schmitt trigger circuit）
(A) 38.9 kHz
(B) 15.9 kHz
(C) 6.5 kHz
(D) 3.2 kHz
(A)方波
(B)弦波
(C)三角波
(D)鋸齒波
(A) 5
(B) 50
(C) 100
(D) 2500
(A)要 tp減小，應降低 VDD值 (B)要 tp減小，應增大 VDD值 (C) tp值與 VDD的大小無關 (D) tp = 0 
(A)資料主要是儲存在電容 C1 及 C2 中 (B)當 X = 1（高電壓）時，Bit Line 上的資料將寫入（Write） 並儲存到所有連接於 Word Line 上的整列記憶體細胞 （memory cell） (C)當要讀取（Read）資料時，電晶體 Q2 必須導通而電晶 體 Q1 必須截止 (D)此電路不需要使用週期性的更新（periodic refresh）電路
(A)增加 M1，M2元件長度
(B)減少 M1，M2元件寬度
(C)提高 WL 電壓
(D)提高 BL 電壓
(A) 2.4 V
(B) 3.2 V
(C) 4.5 V
(D) 5.7 V
(A) 0.5 × 104 (B) 5 × 104
(C) 2.5 × 2.5 × 104 (D) 2.5 × 105 
？
(A) Q1導通、Q2導通、Q3截止、Q4截止 (B) Q1截止、Q2截止、Q3導通、Q4導通 (C) Q1導通、Q2截止、Q3導通、Q4截止 (D) Q1截止、Q2導通、Q3截止、Q4導通
(A)R3 = R1 // R2 (B)R1 = R2 // R3 (C)R3 = R1 + R2 (D) R1 = R2 + R3
(A) 0 V
(B) 0.1 mV
(C) 1 mV
(D) 10 mV
(A)無窮大
(B) R1
(C) R1 + R2
(D) 0
現有一組二極體電路如圖 3 所示，則估此電路的輸出輸入關係（transfer characteristic）最接近的曲線
(A)截止區
(B)線性區
(C)飽和區
(D)崩潰區
(A) 20 V
(B) 15 V
(C)-15 V
(D)-20 V