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初等/五等/佐級◆電子學大意
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97年 - 97 身心障礙特種考試_五等_電子工程:電子學大意#47167
> 試題詳解
14 ECL 閘電路的兩個輸出是:
(A) AND、OR
(B) AND、NAND
(C) OR、NOR
(D) NAND、NOR
答案:
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統計:
A(4), B(3), C(13), D(20), E(0) #1215405
詳解 (共 2 筆)
yo
B1 · 2019/06/15
#3415205
Y1=(A+B)' Y2=A+B
(共 19 字,隱藏中)
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11
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nba17240
B2 · 2021/09/17
#5096465
ECL: 1.使用OR、NOR 2.核...
(共 49 字,隱藏中)
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其他試題
10 如圖所示之串級電路,已知 β1 = β2 = 50, 則此放大器的電流增益為: (A) 5 (B) 50 (C) 100 (D) 2500
#1215401
11 下列何者為 SR 正反器真值表? (A) R = 0,S = 0;Qn+1 = 0 (B) R = 0,S = 1;Qn+1 = 0 (C) R = 1,S = 0;Qn+1 = 0 (D) R = 1,S = 1;Qn+1 = 0
#1215402
12 下列何種電容會影響放大器低頻響應? (A)極際寄生電容、旁路電容 (B)耦合電容、極際寄生電容 (C)極際寄生電容、雜散電容 (D)耦合電容、旁路電容
#1215403
13 如圖所示之 CMOS 反相器,其傳播延遲(propagation delay)tp與 VDD的 關係為何? (A)要 tp減小,應降低 VDD值 (B)要 tp減小,應增大 VDD值 (C) tp值與 VDD的大小無關 (D) tp = 0
#1215404
15 如圖示之隨機存取記憶體(RAM)電路,下列敘述何者正確? (A)資料主要是儲存在電容 C1 及 C2 中 (B)當 X = 1(高電壓)時,Bit Line 上的資料將寫入(Write) 並儲存到所有連接於 Word Line 上的整列記憶體細胞 (memory cell) (C)當要讀取(Read)資料時,電晶體 Q2 必須導通而電晶 體 Q1 必須截止 (D)此電路不需要使用週期性的更新(periodic refresh)電路
#1215406
16 當雙極性接面電晶體之 B-E 接面順偏、B-C 接面順偏,此時電晶體是操作在那種區域模式? (A)飽和區 (B)截止區 (C)順向作用區(forward active region) (D)逆向作用區(reverse active region)
#1215407
17 雙極性接面電晶體(BJT)工作於作用模式(active mode),由厄列(Early)效應可知 IC與 VCE之關係為何? (A)呈指數函數變化 (B)呈線性變化 (C)呈倒數關係 (D)無關連
#1215408
18 右圖之 CMOS 靜態隨機存取記憶元(SRAM cell), 下列何方法一定可提高寫入速度? (A)增加 M1,M2元件長度 (B)減少 M1,M2元件寬度 (C)提高 WL 電壓 (D)提高 BL 電壓
#1215409
19 關於 RAM 與 ROM 的敘述,下列何者錯誤? (A)當電源中斷時,RAM 的資料會消失 (B)資料一旦存入 ROM,只能讀取而不能任意更改內容 (C) ROM 通常被用於儲存使用者的程式與資料 (D) EEPROM 可以利用電流脈衝來將其資料清除
#1215410
20 為何在雙極性接面電晶體進入飽和區操作時,操作速度嚴重變慢? (A)因為大量少數載子累積在基極無法短時間內排出 (B)因為集極發生崩潰效應 (C)因為發生電流擁擠效應 (D)因為熱效應變嚴重
#1215411