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試題詳解

試卷:97年 - 97 身心障礙特種考試_五等_電子工程:電子學大意#47167 | 科目:初等/五等/佐級◆電子學大意

試卷資訊

試卷名稱:97年 - 97 身心障礙特種考試_五等_電子工程:電子學大意#47167

年份:97年

科目:初等/五等/佐級◆電子學大意

40 在 MOSFET 之各參數已確定的情況下,當工作於飽和區(saturation region)時,其跨導 gm 與汲極電流 ID 之間的關係為何?
(A) gm正比於 ID
(B) gm正比於(1/ID)
(C) gm正比於(ID) 1/2
(D) gm正比於(ID) -1/2
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詳解 (共 1 筆)

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