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初等/五等/佐級◆電子學大意
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97年 - 97 身心障礙特種考試_五等_電子工程:電子學大意#47167
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試題詳解
試卷:
97年 - 97 身心障礙特種考試_五等_電子工程:電子學大意#47167 |
科目:
初等/五等/佐級◆電子學大意
試卷資訊
試卷名稱:
97年 - 97 身心障礙特種考試_五等_電子工程:電子學大意#47167
年份:
97年
科目:
初等/五等/佐級◆電子學大意
40 在 MOSFET 之各參數已確定的情況下,當工作於飽和區(saturation region)時,其跨導 g
m
與汲極電流 I
D
之間的關係為何?
(A) g
m
正比於 I
D
(B) g
m
正比於(1/I
D
)
(C) g
m
正比於(I
D
)
1/2
(D) g
m
正比於(I
D
)
-1/2
正確答案:
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