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初等/五等/佐級◆電子學大意
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97年 - 97 身心障礙特種考試_五等_電子工程:電子學大意#47167
> 試題詳解
13 如圖所示之 CMOS 反相器,其傳播延遲(propagation delay)t
p
與 V
DD
的 關係為何?
(A)要 t
p
減小,應降低 V
DD
值
(B)要 t
p
減小,應增大 V
DD
值
(C) t
p
值與 V
DD
的大小無關
(D) t
p
= 0
答案:
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統計:
A(8), B(21), C(6), D(2), E(0) #1215404
詳解 (共 2 筆)
張育騰(已考上初、普、高考)
B1 · 2016/09/07
#1460291
圖呢?
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0
【站僕】摩檸Morning.
B2 · 2016/09/10
#1462771
原本題目:13 如圖所示之 CMOS 反...
(共 270 字,隱藏中)
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其他試題
9 採用電容耦合之電晶體放大器,在低頻時的頻率響應,主要由下列何項決定? (A)電晶體的雜散電容 (B)耦合電容 (C)電晶體的耐壓 (D)電晶體的額定電流
#1215400
10 如圖所示之串級電路,已知 β1 = β2 = 50, 則此放大器的電流增益為: (A) 5 (B) 50 (C) 100 (D) 2500
#1215401
11 下列何者為 SR 正反器真值表? (A) R = 0,S = 0;Qn+1 = 0 (B) R = 0,S = 1;Qn+1 = 0 (C) R = 1,S = 0;Qn+1 = 0 (D) R = 1,S = 1;Qn+1 = 0
#1215402
12 下列何種電容會影響放大器低頻響應? (A)極際寄生電容、旁路電容 (B)耦合電容、極際寄生電容 (C)極際寄生電容、雜散電容 (D)耦合電容、旁路電容
#1215403
14 ECL 閘電路的兩個輸出是: (A) AND、OR (B) AND、NAND (C) OR、NOR (D) NAND、NOR
#1215405
15 如圖示之隨機存取記憶體(RAM)電路,下列敘述何者正確? (A)資料主要是儲存在電容 C1 及 C2 中 (B)當 X = 1(高電壓)時,Bit Line 上的資料將寫入(Write) 並儲存到所有連接於 Word Line 上的整列記憶體細胞 (memory cell) (C)當要讀取(Read)資料時,電晶體 Q2 必須導通而電晶 體 Q1 必須截止 (D)此電路不需要使用週期性的更新(periodic refresh)電路
#1215406
16 當雙極性接面電晶體之 B-E 接面順偏、B-C 接面順偏,此時電晶體是操作在那種區域模式? (A)飽和區 (B)截止區 (C)順向作用區(forward active region) (D)逆向作用區(reverse active region)
#1215407
17 雙極性接面電晶體(BJT)工作於作用模式(active mode),由厄列(Early)效應可知 IC與 VCE之關係為何? (A)呈指數函數變化 (B)呈線性變化 (C)呈倒數關係 (D)無關連
#1215408
18 右圖之 CMOS 靜態隨機存取記憶元(SRAM cell), 下列何方法一定可提高寫入速度? (A)增加 M1,M2元件長度 (B)減少 M1,M2元件寬度 (C)提高 WL 電壓 (D)提高 BL 電壓
#1215409
19 關於 RAM 與 ROM 的敘述,下列何者錯誤? (A)當電源中斷時,RAM 的資料會消失 (B)資料一旦存入 ROM,只能讀取而不能任意更改內容 (C) ROM 通常被用於儲存使用者的程式與資料 (D) EEPROM 可以利用電流脈衝來將其資料清除
#1215410