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初等/五等/佐級◆電子學大意
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102年 - 102 鐵路特種考試_佐級_電子工程:電子學大意#22221
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18 如圖所示電路中電晶體的β=100 且爾利電壓(Early Voltage)為無窮大,請問電路的頻寬約為多少?
(A) 57 MHz
(B) 60 MHz
(C) 65 MHz
(D) 70 MHz
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統計:
A(103), B(18), C(12), D(2), E(0) #845950
詳解 (共 1 筆)
pole~zero
B1 · 2015/11/23
#1198425
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私人筆記 (共 1 筆)
Alice
2025/12/25
私人筆記#7670274
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複選題重新載圖重新載圖19 如圖所示之放大器,若電晶體操作於飽和區,且其高頻 3dB 頻率 ωH遠高於低頻 3dB 頻率 ωL,忽略 元件本身之寄生電容,下列敘述何者錯誤? (A)降低 RS可提高中頻增益 (B)降低 CS可增加 ωH - ωL (C)降低 CD可增加 ωH - ωL (D)增加 RG可增加 ωH - ωL
#845951
20 關於 MOSFET 電晶體之敘述,下列何者錯誤? (A) NMOSFET 通道下方之空乏區帶負電荷 (B) PMOSFET 導通時之通道帶正電荷 (C) MOSFET 操作在飽和區時之 Cgs(閘極到源極之寄生電容)> Cgd(閘極到汲極之寄生電容) (D) NMOSFET 源極(source)對基板(substrate)之電壓提高,臨界電壓(threshold voltage)降低
#845952
21 如圖所示電路主要作用為: (A)電壓緩衝器(Voltage Buffer) (B)電流放大器(Current Amplifier) (C)轉阻放大器(Transresistance Amplifier) (D)截波電路( R Limiter Circuit)
#845953
22 如圖所示電路中場效電晶體(FET)之 Vt = -1 V、μpCox(W/L)=2 mA/V2 ,若 FET 工作在飽和區,且電 流 ID= 1 mA、VDD=5 V,則電壓 VG應為若干伏特? (A) 4.5 V (B) 4 V (C) 3.5 V (D) 3 V
#845954
23 有一個 N 通道增強型 MOSFET,Vth=1.2 V,VGS=2 V,下列工作區域何者錯誤? (A)當 VDS=0.4 V,電晶體處在飽和區 (B)當 VDS=1 V,電晶體處在飽和區 (C)當 VDS=1.5 V,電晶體處在飽和區 (D)當 VDS=5 V,電晶體處在飽和區
#845955
24 如圖所示電路,假設 MOS 電晶體操作在飽和區,且其λ值皆大於零,忽略元件內極間電容效應,Vb 為直流電壓,求此電路之轉折(corner)頻率為何?
#845956
25 空乏型 nMOSFET,下列中那一項偏壓將使元件不導通? (A) Vgs << 0 (B) Vgs = 0 (C) Vgs > 0 (D) Vgs >> 0
#845957
26 有一放大器電路的高頻響應轉移函數(Transfer Function)FH(s)如下所示,其中 s=jω=j2πf: 若繪製的波德圖(Bode Plot),試問在頻率 f = 600 kHz 時的線段斜率應落在下列何範圍內? (A) > +25 dB/decade (B) 0 dB/decade 至+25 dB/decade (C) -25 dB/decade 至 0 dB/decade (D) < -25 dB/decade
#845958
27 請問下圖高通濾波器電路之 3 分貝(或截止)頻率約為多少? (A) 160 Hz (B) 230 Hz (C) 450 Hz (D) 700 Hz
#845959
28 如圖所示為一 BJT 差動對(Differential-Pair)電路。Q1= Q2,並設工作於主動模式(active-mode)。 則呈現在兩基極端的差動輸入電阻(Differential Input Resistance)Rid以熱電壓(Thermal Voltage) VT表示為: (A) VT/I (B) (β+1)VT/I (C) 2(β+1)VT/I (D) 4(β+1)VT/I
#845960
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