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初等/五等/佐級◆電子學大意
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104年 - 104 鐵路特種考試_佐級_電子工程：電子學大意#22123
> 試題詳解
18 如圖的共射（CE）放大器，設電晶體工作於主動模式（Active Mode），其小訊號參數 g
m
、r
e
、r
π
及輸出電 阻 r
o
均為已知，各外加電容均極大。則此放大器之輸出電阻 R
out
（不含 R
L
）為：
(A)R
C
+ r
o
(B)r
o
(C)R
C
|| r
o
(D)R
C
+ r
e
答案：
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統計：
A(20), B(8), C(314), D(8), E(0) #842107
私人筆記 (共 1 筆)
Alice
2025/12/10
私人筆記#7626550
未解鎖
共射放大器的輸出電阻判定 電容極大...
(共 198 字，隱藏中）
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19 圖示放大器電路若電流源 I 為 1 mA、RB = 100 kΩ，RC = RL = 2 kΩ，Re = 100 Ω，電晶體電流放大率 β = 100， 則電壓增益約為若干？ (A)-100 (B)-10 (C)-8 (D)-4
#842108
20 圖中電晶體的 VT = 25 mV，β = 100，VBE = 0.7 V，其電流增益（io / ii）約為： (A)8.3 (B)10.1 (C)83 (D)101 .
#842109
21 在雙極性接面電晶體（BJT）共射極組態中，小訊號電源是經由一個耦合電容 Cc進入基極，該電容 Cc之主 要功能為何？ (A)使電壓增益變大 (B)使電流增益變大 (C)隔離雜訊 (D)隔離直流
#842110
22 圖示電路中場效電晶體 FET 之 VT = -0.5 V、μpCox(W/L) = 2 mA/V2 ，欲此電晶體工作在飽和區（Saturation Region），電壓 vG應如何？ (A)0.5 V ≤ vG ≤ 3.5 V (B)1.5 V ≤ vG ≤ 3.5 V (C)0.5 V ≤ vG ≤ 2.5 V (D)1.5 V ≤ vG ≤ 2.5 V
#842111
23 如圖電路對於小訊號電壓增益，下列敘述何者錯誤？ (A)RC過大增益可能減低 (B)若電晶體操作於主動區，增加 RE則增益增加 (C)若電晶體操作於飽和區，增加 RB可使電晶體進入順向主動（forward active）區 (D)若電晶體操作於飽和區，增加 RE可使電晶體進入順向主動（forward active）區 .
#842112
24 分析下圖之電路，若 MOSFET 之轉導值 gm = 1 mA/V 且操作於飽和區，元件之輸出阻抗 ro =10 kΩ，Rb =10 kΩ， RD =10 kΩ，RS =1 kΩ，試求 Vo /Vi約為多少？ (A)-10/3 (B)-5 (C)-20/3 (D)-25/3
#842113
25 有一 n 通道 MOSFET 工作於飽和模式（saturation mode），並構成共源（CS）放大器，該 MOSFET 之臨界 電壓 Vt = 0.5 V。當 VGS =1.5 V 時，其 ID = 1 mA，則當 VGS增為 2.5 V 時，其 ID為： (A)仍為 1 mA (B)增為 2 mA (C)增為 3 mA (D)增為 4 mA
#842114
26 關於理想轉導放大器（Transconductance Amplifier）特性之敘述，下列何者正確？ (A)放大器本身之輸入阻抗為 0 (B)放大器本身之輸出阻抗為無限大 (C)放大器本身之輸出阻抗與電壓放大器相同 (D)其增益單位為歐姆（Ω）
#842115
27 圖示電路中場效電晶體之臨限電壓 VT =1 V、μnCox(W/L) = 100 μA/V2 ，電壓 VD = 0.2 V，則電阻 RD 約為若干 kΩ？ (A)34 (B)54 (C)74 (D)94
#842116
28 如圖為一共汲（CD）放大器的簡圖（其偏壓電路未示）。若電晶體的轉導參數為 gm，輸出電阻為 ro→∞， 則此放大器的輸入電阻 Ri為何？ (A)RS (B)1/ gm + RS (C)∞ (D)0
#842117
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