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初等/五等/佐級◆電子學大意
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97年 - 97 鐵路特種考試_佐級_電子工程:電子學大意#22359
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19 需要週期性的更新(periodic refresh)以防止儲存資訊流失的是:
(A)唯讀記憶體(ROM)
(B)靜態隨機存取記憶體(SRAM)
(C)動態隨機存取記憶體(DRAM)
(D)所有記憶體均需要週期性的更新
答案:
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統計:
A(5), B(9), C(40), D(5), E(0) #852647
詳解 (共 1 筆)
joy13579a
B2 · 2021/07/13
#4899923
DRAM儲存資料在電容,因為時間常數關係...
(共 33 字,隱藏中)
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20 圖所示電路中,BJT 之 VCE值約為: (A) 6.5 V (B) 7.4 V (C) 8.3 V (D) 9.2 V
#852648
21 雙極性接面電晶體(BJT)放大器的下列組態中,何者的電壓增益較小? (A) CE 組態 (B) CB 組態 (C) CC 組態 (D)疊接(cascode)組態
#852649
22 一般功率放大器最高功率轉換效率(power conversion efficiency)的大小次序為何? (A) A 類≥ AB 類≥ B 類 (B) A 類≥ B 類≥ AB 類 (C) AB 類≥ B 類≥ A 類 (D) B 類≥ AB 類≥ A 類
#852650
23 雙極性接面電晶體若用於數位電路中,則其主要功能是: (A)整流 (B)放大 (C)開關 (D)濾波
#852651
24 當 BJT 直流偏壓電路之操作點落於下列何區域,此電路方能應用於交流類比放大電路? (A)截止區 (B)順向作用區(forward active region) (C)逆向作用區(reverse active region) (D)飽和區
#852652
25 一般發光二極體,最主要的發光機制為何? (A)雪崩崩潰所誘發的發光現象 (B)基板效應所產生的發光現象 (C)電子、電洞在空乏區復合所產生的發光現象 (D)電子、電洞藉由半導體中缺陷復合所產生的發光現象
#852653
26 下列對於運算放大器的共模拒斥比(Common-Mode Rejection Ratio, CMRR)的描述,何者錯誤? (A)共模拒斥比的值較大則功率消耗也較大 (B)理想運算放大器之共模拒斥比的值接近無窮大 (C)共模拒斥比係差模電壓信號增益對共模電壓信號增益的比值 (D)共模拒斥比的值較小者則較容易受共模雜訊干擾
#852654
27 如圖所示的運算放大器應用電路,其輸出電壓 vo=?
#852655
28 某一放大器的電流增益為 100,則此放大器電流增益為多少分貝(dB)? (A) 10 (B) 20 (C) 40 (D) 50
#852656
29 設計電晶體差動放大器時,射極共同點接一穩定電流源之主要目的為何? (A)增加負回授量 (B)提高 CMRR (C)增加頻寬 (D)提高增益
#852657
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