21 一個操作於飽和區的 MOS 電晶體，其汲極電流 I_D與過激電壓 V_ov（Overdrive Voltage, V_GS－V_t）的關係為：
(A)
(B)
(C)
(D)

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統計： A(8), B(8), C(10), D(152), E(0) #1044840

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Rascal

B1 · 2017/05/08

#2177579

飽和區電流公式 ID = K ( VGS...

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私人筆記 (共 1 筆)

Alice

2025/12/01

私人筆記#7604332

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