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104年 - 104 原住民族特種考試_五等_電子工程：電子學大意#36418
科目：
初等/五等/佐級◆電子學大意 |
年份：
104年 |
選擇題數：
40 |
申論題數：
0
試卷資訊
所屬科目：
初等/五等/佐級◆電子學大意
選擇題 (40)
1 如圖所示之理想運算放大器電路，AO = ∞，輸入訊號為一弦波，頻率為 2 MHz，假使輸出之大小為 輸入訊號之大小的 5 倍，則 RC 值約為何？ (A)0.8 μs (B)1.8 μs (C)2.8 μs (D)3.8 μs
2 如圖所示電路，假設 R
1
= R
2
= R
g
= R
f
= 10 kΩ，且輸入電壓 V
1
=3 V， V
2
=4 V，則輸出電壓 V
o
為：
(A)1 V (B)2 V (C)3 V (D)7 V
3 如圖所示電路，R
1
= 1 kΩ，R
2
= 10 kΩ，V
i
= 1 V，則 V
o
=？
(A)10 V (B)-10 V (C)11 V (D)-11 V
4 如圖所示之電路，其輸出之正邏輯函數為何？
(A)A+B (B)
(C)A●B (D)
5 假設一 CMOS 反相器（inverter）之負載電容 C
L
為 2 pF，偏壓（bias） 電壓為 5 V，且其切換頻率為100 kHz，此反相器之消耗功率約為何？ (A)1 μW (B)3 μW (C) 5 μW (D) 7 μW
6 當一虛擬（pseudo）NMOS 反相器的輸出為低準位電壓時，其中的 NMOS 和 PMOS 的操作區域分別為何？ (A)三極體區、三極體區 (B)三極體區、飽和區 (C)飽和區、三極體區 (D)截止區、三極體區
7 半導體 pn 接面在接面處會產生一空乏區，在 n 型半導體空乏區內帶電之粒子主要是： (A)電洞 (B)電子 (C)負離子 (D)正離子
8 圖中
(s) I為帶通濾波器，下列敘述何者正確？ (A)L 越大則中心頻率越高 (B)C 越大則中心頻率越高 (C)C 越大則頻寬越寬 (D) R 越大則頻寬越窄
9 利用下列何種效應可以測出半導體是屬於 P 型或 N 型？ (A)光電效應 (B)霍爾（Hall）效應 (C)米勒（Miller）效應 (D)黑體輻射效應
10 關於圖中含理想運算放大器之振盪器，下列何者錯誤？ (A)本電路為橋式（Wien Bridge）振盪器 (B)振盪頻率等於
(C) R
2
/R
1
=3 (D)Vo振幅為 1.5 倍二極體導通電壓
11 二極體不具下列何種功能？ (A)截波 (B)檢波 (C)整流 (D)放大
12 如圖的二極體電路，設各二極體為理想二極體，則電流 I
o
為：
(A)0 mA (B)1 mA (C)1.33 mA (D) 2 mA
13 圖示整流電路，若輸入弦波 v
I
與電阻 R 皆固定，今若電容 C 變大，下列敘述何者正確？ (A)輸出電壓 vO的漣波（ripple）變大 (B)二極體導通時間變長 (C)二極體最大導通峰值電流變大 (D)輸出電壓 vO的頻率變大
14 如圖所示之電路，二極體導通之壓降為 0.7 V，RC >> v
i
之週期，求電路穩態時之 V
3
為何？
(A)5.3 V (B)9.3 V (C)24.3 V (D)34.3 V
15 利用歐姆錶來測量二極體，無論測試棒如何接法，指針的指示值均為低值，表示該二極體的狀況是： (A)正常 (B)斷路 (C)短路 (D)無法判斷
16 圖示理想運算放大器電路，vI為輸入電壓，vO為輸出電壓，本電路為： (A)整流電路 (B)箝位電路 (C)濾波電路 (D)倍壓電路
17 P 通道之 MOSFET 其傳導電荷載子是： (A)電子 (B)離子 (C)質子 (D)電洞
18 關於以下之放大器，若電晶體操作於三極管區（Triode region），下列何種調整方式可使電晶體進入飽和區？ (A)增加 R
G
(B)增加 I
D
(C)減少 R
S
(D)增加 V
DD
19 雙極性接面電晶體（BJT）中，那種電路組態其電壓增益（A
v
）大於 1 且電流增益（A
i
）近似於 1？ (A)共基極（common base）組態 (B)射極隨耦（Emitter Follower）組態 (C)共射極（common emitter）組態 (D)共集極（common collector）組態
20 下列組態的串接放大器，何者的輸入電阻最小？ (A)共基極－共射極 (B)共射極－共射極 (C)共集極－共基極 (D)共射極－共基極
21 一個操作於飽和區的 MOS 電晶體，其汲極電流 I
D
與過激電壓 V
ov
（Overdrive Voltage, V
GS
－V
t
）的關係為： (A)
(B)
(C)
(D)
22 空乏型 N 通道 MOSFET，閘極和源極間電壓 V
GS
加上一負電壓時，通道導通程度會： (A)變大 (B)變小 (C)不變 (D)無窮大
23 如圖為一共汲極（common drain）放大器的簡圖（其偏壓電路未示）。若電晶體的轉導（transconductance）參數為 g
m
，輸出電阻為 ro→∞，則此放大器的電壓增益為何？ (A)g
m
R
S
(B)g
m
R
S
/ (1+g
m
R
S
) (C)- g
m
R
S
(D)-g
m
R
S
/ (1+g
m
R
S
)
24 試問一個 n 通道 MOSFET 的過激電壓（Overdrive Voltage, V
GS
－V
t
）V
ov
及其臨界電壓（Threshold Voltage）V
tn
，與 MOSFET 各極間電壓的關係式下列何者正確？ (A)V
ov
＝V
GS
－V
tn
(B)V
ov
＝V
DS
－V
tn
(C)V
ov
＝V
GD
－V
tn
(D)V
ov
＝V
BS
－V
tn
25 如圖所示為一共源極（common source）放大器（偏壓電路未繪示），該電路電晶體之 V
t
＝0.5 V，V
DD
＝5 V。當 V
I
＝1.5 V 時，MOSFET 工作於飽和（saturation）區，且 I
D
＝1 mA。求使此 MOSFET維持工作在飽和區之最大 RD值為何？
(A)1 kΩ (B)2 kΩ (C)4 kΩ (D)8 kΩ
26 若圖中電晶體為 N 通道增強型 MOSFET，且電壓增益（vo / vi）為 -3.3，則 R
in
約為：
(A)8.44 MΩ (B)6.32 MΩ (C)4.56 MΩ (D)2.33 MΩ
27 如下圖電路，其 R
S
＝1 kΩ、C
C
＝0.2 μF、r
π
＝1.2 kΩ、g
m
＝50 mA/V、R
L
＝10 kΩ 和 C
L
＝2 nF。則此電 路之頻寬約為： (A)7000 Hz (B)7300 Hz (C)7600 Hz (D)8200 Hz
28 有一電壓放大器的高頻小訊號等效電路如下圖所示。當 gm增加時，利用米勒效應（Miller effect）估計等效輸入電容 C
in
及等效輸出電容 C
out
的變化趨勢為何？ (A)C
in
變大、C
out
變大 (B)C
in
變大、C
out
變小 (C)C
in
變小、C
out
變大 (D)C
in
變小、C
out
變小
29 如圖的共集極（common collector）（CC）放大器（其偏壓電路未繪示），設電晶體工作於順向主動區（forward active region），其小訊號參數 g
m
、r
e
、r
π
均為已知，輸出電阻 ro→∞，則此放大器之輸 出電阻 R
out
（不含 R
L
）為：
(A)r
π
＋R
sig
(B)r
e
＋R
sig
(C)（r
π
＋R
sig
）/（β＋1） (D)（r
e
＋R
sig
）/（β＋1）
30 分析以下之電路，若 BJT 皆操作在順向主動區（forward active region）且轉導（transconductance）參數 g
m
為 10 mA/V，β＝100。試求 R
i
＝？ (A)20 kΩ (B)51 kΩ (C)101 kΩ (D)121 kΩ
31 如圖電路中若齊納二極體的 V
Z
＝10 V，電源 V＝20 V，R＝2 kΩ，R
L
＝5 kΩ，則流過齊納二極體之電流 I
Z
大約有多大？
(A)0 (B)2 mA (C)3 mA (D)5 mA
32 具有相位落後特性的電路，其輸出相對於輸入而言有下列何項特性？ (A)電壓放大 (B)電流放大 (C)時間延遲 (D)時間超前
33 如圖之差動對電路，電晶體之 β＝100，ro→∞，R
C
＝4 kΩ，I＝2 mA，V
CC
＝-V
EE
＝10 V，取V
BE(on)
＝0.7 V，V
CE(sat)
＝0.3 V，V
T
＝25 mV，當 v
B1
＝v
B2
＝0 時，v
E
之值約為何？
(A)0 (B)-0.3 V (C)-0.7 V (D)-10 V
34 圖示電路，若電晶體 Q
1
、Q
2
、Q
3
之特性完全相同，則 I
O
/ I
REF
與 β 之關係約為：
(A) 與β無關(B)
(C)
(D)
35 圖示摺疊式疊接（folded cascode）放大器，v
I
為輸入電壓，v
O
為輸出電壓，相較於傳統疊接（cascode）放大器，摺疊式疊接放大器的主要目的在：
(A)提高輸入阻抗 (B)提高電壓增益 (C)降低輸出阻抗 (D)降低所需電源電壓
36 一環形振盪器是由五個反相器所構成，若反相器的傳播延遲為 4 ns，其振盪頻率為何？ (A)10 MHz (B)25 MHz (C)50 MHz (D)100 MHz
37 達靈頓放大器具有下列何種特性？ (A)低的輸入阻抗 (B)高的輸出阻抗 (C)小的電流增益 (D)放大器內部兩電晶體採用「共集極」組態
38 某一放大器的中頻帶電壓增益為 100，若其低頻 -3dB 頻率為 1 kHz，當操作頻率為 f＝100 Hz 時，則此時電壓增益約為： (A)100 (B)10 (C)1 (D)0
39 一 BJT 放大器操作在 I
C
＝1 mA 下，其單一增益頻率（unity-gain frequency）為 200 MHz，其電容 C
π
為 24 pF，其電容 C
μ
值為何？ (A)8 pF (B)12 pF (C) 20 pF (D)24 pF
40 有一放大器電路的轉移函數（Transfer function）F(s)＝VO (s) / VI (s)，其中 s＝jω＝j2πf：
試估計此放大器在頻率 f＝3 kHz 時的電壓增益，下列何者正確？ (A)
(B)
(C)
(D)
申論題 (0)
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(A)1 V (B)2 V (C)3 V (D)7 V 
(A)10 V (B)-10 V (C)11 V (D)-11 V 
(A)A+B (B)
(C)A●B (D)
(s) I為帶通濾波器，下列敘述何者正確？ (A)L 越大則中心頻率越高 (B)C 越大則中心頻率越高 (C)C 越大則頻寬越寬 (D) R 越大則頻寬越窄
(C) R2/R1=3 (D)Vo振幅為 1.5 倍二極體導通電壓
(A)0 mA (B)1 mA (C)1.33 mA (D) 2 mA 
(A)5.3 V (B)9.3 V (C)24.3 V (D)34.3 V 
(B)
(C)
(D)
(A)1 kΩ (B)2 kΩ (C)4 kΩ (D)8 kΩ 
(A)8.44 MΩ (B)6.32 MΩ (C)4.56 MΩ (D)2.33 MΩ 
(A)rπ＋Rsig (B)re＋Rsig (C)（rπ＋Rsig）/（β＋1） (D)（re＋Rsig）/（β＋1） 
(A)0 (B)2 mA (C)3 mA (D)5 mA 
(A)0 (B)-0.3 V (C)-0.7 V (D)-10 V 
(A) 與β無關(B)
(C)
(D)
(A)提高輸入阻抗 (B)提高電壓增益 (C)降低輸出阻抗 (D)降低所需電源電壓 
試估計此放大器在頻率 f＝3 kHz 時的電壓增益，下列何者正確？ (A)
(B)
(C) 
(D)