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初等/五等/佐級◆電子學大意
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104年 - 104 原住民族特種考試_五等_電子工程:電子學大意#36418
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35 圖示摺疊式疊接(folded cascode)放大器,v
I
為輸入電壓,v
O
為輸出電壓,相較於傳統疊接(cascode)放大器,摺疊式疊接放大器的主要目的在:
(A)提高輸入阻抗
(B)提高電壓增益
(C)降低輸出阻抗
(D)降低所需電源電壓
答案:
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統計:
A(10), B(36), C(17), D(37), E(0) #1044854
詳解 (共 1 筆)
秋砯
B1 · 2019/05/28
#3379099
摺疊結構主要的好處在於其電壓準位的選擇性...
(共 43 字,隱藏中)
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10
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私人筆記 (共 1 筆)
Alice
2025/12/01
私人筆記#7604533
未解鎖
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相關試題
1 如圖所示之理想運算放大器電路,AO = ∞,輸入訊號為一弦波,頻率為 2 MHz,假使輸出之大小為 輸入訊號之大小的 5 倍,則 RC 值約為何? (A)0.8 μs (B)1.8 μs (C)2.8 μs (D)3.8 μs
#1044820
2 如圖所示電路,假設 R1 = R2 = Rg = Rf = 10 kΩ,且輸入電壓 V1 =3 V, V2 =4 V,則輸出電壓 Vo為: (A)1 V (B)2 V (C)3 V (D)7 V
#1044821
3 如圖所示電路,R1= 1 kΩ,R2= 10 kΩ,Vi = 1 V,則 Vo=? (A)10 V (B)-10 V (C)11 V (D)-11 V
#1044822
4 如圖所示之電路,其輸出之正邏輯函數為何? (A)A+B (B) (C)A●B (D)
#1044823
5 假設一 CMOS 反相器(inverter)之負載電容 CL為 2 pF,偏壓(bias) 電壓為 5 V,且其切換頻率為100 kHz,此反相器之消耗功率約為何? (A)1 μW (B)3 μW (C) 5 μW (D) 7 μW
#1044824
6 當一虛擬(pseudo)NMOS 反相器的輸出為低準位電壓時,其中的 NMOS 和 PMOS 的操作區域分別為何? (A)三極體區、三極體區 (B)三極體區、飽和區 (C)飽和區、三極體區 (D)截止區、三極體區
#1044825
7 半導體 pn 接面在接面處會產生一空乏區,在 n 型半導體空乏區內帶電之粒子主要是: (A)電洞 (B)電子 (C)負離子 (D)正離子
#1044826
8 圖中 (s) I為帶通濾波器,下列敘述何者正確? (A)L 越大則中心頻率越高 (B)C 越大則中心頻率越高 (C)C 越大則頻寬越寬 (D) R 越大則頻寬越窄
#1044827
9 利用下列何種效應可以測出半導體是屬於 P 型或 N 型? (A)光電效應 (B)霍爾(Hall)效應 (C)米勒(Miller)效應 (D)黑體輻射效應
#1044828
10 關於圖中含理想運算放大器之振盪器,下列何者錯誤? (A)本電路為橋式(Wien Bridge)振盪器 (B)振盪頻率等於 (C) R2/R1=3 (D)Vo振幅為 1.5 倍二極體導通電壓
#1044829
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