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初等/五等/佐級◆電子學大意
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104年 - 104 原住民族特種考試_五等_電子工程:電子學大意#36418
> 試題詳解
17 P 通道之 MOSFET 其傳導電荷載子是:
(A)電子
(B)離子
(C)質子
(D)電洞
答案:
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統計:
A(16), B(4), C(0), D(139), E(0) #1044836
私人筆記 (共 1 筆)
Alice
2025/12/01
私人筆記#7604297
未解鎖
✅ 解題解析:P 通道 MOSFET ...
(共 218 字,隱藏中)
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相關試題
18 關於以下之放大器,若電晶體操作於三極管區(Triode region),下列何種調整方式可使電晶體進入飽和區? (A)增加 RG (B)增加 ID (C)減少 RS (D)增加 VDD
#1044837
19 雙極性接面電晶體(BJT)中,那種電路組態其電壓增益(Av)大於 1 且電流增益(Ai)近似於 1? (A)共基極(common base)組態 (B)射極隨耦(Emitter Follower)組態 (C)共射極(common emitter)組態 (D)共集極(common collector)組態
#1044838
20 下列組態的串接放大器,何者的輸入電阻最小? (A)共基極-共射極 (B)共射極-共射極 (C)共集極-共基極 (D)共射極-共基極
#1044839
21 一個操作於飽和區的 MOS 電晶體,其汲極電流 ID與過激電壓 Vov(Overdrive Voltage, VGS-Vt)的關係為: (A) (B) (C) (D)
#1044840
22 空乏型 N 通道 MOSFET,閘極和源極間電壓 VGS加上一負電壓時,通道導通程度會: (A)變大 (B)變小 (C)不變 (D)無窮大
#1044841
23 如圖為一共汲極(common drain)放大器的簡圖(其偏壓電路未示)。若電晶體的轉導(transconductance)參數為 gm,輸出電阻為 ro→∞,則此放大器的電壓增益為何? (A)gmRS (B)gmRS / (1+gmRS) (C)- gmRS (D)-gmRS / (1+gmRS)
#1044842
24 試問一個 n 通道 MOSFET 的過激電壓(Overdrive Voltage, VGS-Vt)Vov 及其臨界電壓(Threshold Voltage)Vtn,與 MOSFET 各極間電壓的關係式下列何者正確? (A)Vov=VGS-Vtn (B)Vov=VDS-Vtn (C)Vov=VGD-Vtn (D)Vov=VBS-Vtn
#1044843
25 如圖所示為一共源極(common source)放大器(偏壓電路未繪示),該電路電晶體之 Vt=0.5 V,VDD=5 V。當 VI=1.5 V 時,MOSFET 工作於飽和(saturation)區,且 ID=1 mA。求使此 MOSFET維持工作在飽和區之最大 RD值為何? (A)1 kΩ (B)2 kΩ (C)4 kΩ (D)8 kΩ
#1044844
26 若圖中電晶體為 N 通道增強型 MOSFET,且電壓增益(vo / vi)為 -3.3,則 Rin約為: (A)8.44 MΩ (B)6.32 MΩ (C)4.56 MΩ (D)2.33 MΩ
#1044845
27 如下圖電路,其 RS=1 kΩ、CC=0.2 μF、rπ=1.2 kΩ、gm=50 mA/V、RL=10 kΩ 和 CL=2 nF。則此電 路之頻寬約為: (A)7000 Hz (B)7300 Hz (C)7600 Hz (D)8200 Hz
#1044846
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