22 矽晶接面二極體的等效電路模型中的擴散電容（Diffusion capacitance），由下列那一項物理現象所 形成？
(A)接面空乏區
(B)金屬和半導體所形成的歐姆接觸
(C)接面的崩潰效應
(D)二極體順偏時的注入電荷

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統計： A(18), B(7), C(1), D(38), E(0) #732084

詳解 (共 1 筆)

#4893985
順向偏壓上升使得少數載子增加，並且電流增...
(共 33 字，隱藏中）
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