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初等/五等/佐級◆電子學大意
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105年 - 105 初等考試_電子工程:電子學大意#38334
> 試題詳解
25 一 N 通道增強型 MOSFET 的 V
t
= 2 V,若 V
G
= 3 V 且 V
S
= 0 V,又此元件工作於三極區(Triode Region),則汲極的電壓 V
D
約為:
(A)2.5 V
(B)2.0 V
(C)1.5 V
(D)0.5 V
答案:
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統計:
A(20), B(18), C(21), D(200), E(0) #1094288
詳解 (共 1 筆)
Nan
B3 · 2019/12/25
#3721990
工作於三極區: VGD=VGS-VD...
(共 70 字,隱藏中)
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私人筆記 (共 1 筆)
Kao PoHua
2019/12/16
私人筆記#1850847
未解鎖
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其他試題
21 如圖所示電路,若 BJT 操作在順向主動區(forward active region)且轉導值(gm)為 10 mA/V,電晶 體之 β = 10,元件之輸出阻抗(ro)= 10 kΩ,試求輸出阻抗(Ro)約為多少? (A)2.5 kΩ (B)4.5 kΩ (C)6.5 kΩ (D)8.5 kΩ
#1094284
22 雙極性接面電晶體(BJT)在截止區(Cutoff Region)操作下,其偏壓施加方式為: (A)BE 間逆偏,CB 間順偏 (B)BE 間順偏,CB 間逆偏(C)BE 及 CB 間均逆偏 (D)BE 及 CB 間均順偏
#1094285
23 如圖所示電路,若 MOSFET 操作在飽和區(Saturation Region)且轉導值(gm)為 1 mA/V,輸出阻 抗(ro)為 10 kΩ,其增益值 Vo / Vi為何? (A)10 V/V (B)5 V/V (C)2.5 V/V (D)1.25 V/V
#1094286
24 一個長通道 N 增強型 MOSFET,Vth = 1 V,當 VGS = 3 V、VDS = 4.5 V 時,ID = 0.8 mA;當 VGS = 2 V、 VDS = 4.5 V 時,ID 為何? (A)0.8 mA (B)0.4 mA (C)0.2 mA (D)0.1 mA
#1094287
26 若 MOSFET 電晶體操作於飽和區(Saturation Region),有關其小訊號模型的敘述,下列何者錯誤? (A)電流 ID越大,則轉導值(gm)越小(B)Cgs>Cgd(C)ID越大,ro越小(D)過驅電壓越大(Overdrive Voltage),則轉導值(gm)越大
#1094289
27 有關 MOSFET 的單一增益頻率(Unity-gain frequency)的敘述,下列何者正確? (A)單一增益頻率值與外部電路元件相關 (B)單一增益頻率值與轉導值成反比 (C)共源極架構中短路電流增益為 1 時之頻率 (D)共源極架構中開路電壓增益為 1 時之頻率
#1094290
28 共源極放大器之低頻 3-dB 頻率,通常以下列何種電容為主要考慮因素? (A)輸入端耦合電容 (B)輸出端耦合電容 (C)源極旁路電容 (D)電晶體內部電容
#1094291
29 某放大器的輸入與輸出端之間有一跨接電容 C1 = 2 pF,其電壓增益為 VO / VI = -100 V/V。若輸出端 至地之等效電容為 C2,試求 C2 / C1的比值? (A)接近 0 (B)接近 1 (C)接近 50 (D)接近 100
#1094292
30 已知 A 及 B 為兩個獨立的電壓放大器,其電壓增益分別為 A1及 A2,輸入阻抗分別為 Ri1及 Ri2,輸 出阻抗分別為 Ro1及 Ro2;若將 A 的輸出端連接至 B 的輸入端,則整體的電壓增益為何?(A) A1+A2(B)A1A2 (C)(D)
#1094293
31 一直流增益 80 dB 的運算放大器具有一單極點頻率響應,其單一增益頻率(unity-gain frequency)為 ft = 10 MHz,被用來設計一直流增益為 100 的非反相放大器,求此非反相放大器的單一增益頻率值? (A)100 kHz (B)1 MHz (C)10 MHz (D)100 MHz
#1094294