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初等/五等/佐級◆電子學大意
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102年 - 102 原住民族特種考試_五等_電子工程:電子學大意#36969
> 試題詳解
25 如圖所示電路之 R
IN(BASE)
值約為:
(A)100 kΩ
(B)200 kΩ
(C)300 kΩ
(D)400 kΩ
答案:
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統計:
A(3), B(14), C(105), D(2), E(0) #1066910
詳解 (共 1 筆)
Rascal
B1 · 2017/05/02
#2166233
以不正規的算法rpi 通常只有幾k而已,...
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13
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私人筆記 (共 1 筆)
Alice
2025/12/22
私人筆記#7662120
未解鎖
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其他試題
21 某增強型 NMOS 場效電晶體的 Vt = 1V、μnCox(W/L)= 25μA/V2 ,今若其源極(Source)電壓 0.5V,閘極(Gate)電壓 2.5V,汲極(Drain)電壓 2V,則此電晶體工作在: (A)飽和區(Saturation Region) (B)截止區(Cutoff Region) (C)三極體區(Triode Region) (D)直線區(Linear Region)
#1066906
22 一個增強型 N 通道 MOS 電晶體,其臨限電壓為 Vt,當操作於飽和區時,其汲源間之電壓 VDS最小應為: (A)VDS = VGS (B)VDS =Vt (C)VDS = VGS -Vt (D)VDS = VGS +Vt
#1066907
23 圖中電晶體電路集極端的直流工作點約為何? (A)IC=5.20mA,VCE=3.2V (B)IC=2.35mA,VCE=6.8V (C)IC=4.10mA,VCE=2.4V (D)IC=2.80mA,VCE=5.6V
#1066908
24 如圖示為 MOS 電晶體操作於飽和模式(Saturation-mode)之 π 型小訊號等效電路,其中電晶體的輸出電阻 ro與汲極電流 ID的關係約為: (A)ro正比於 1/ID (B) ro正比於 (C)ro正比於 (D)ro正比於 ID
#1066909
26 圖中電晶體的 β=100,VBE=0.7V 及 VT=25mV,則 Rin約為: (A)2 kΩ (B)5 kΩ (C)20 kΩ (D)100 kΩ
#1066911
27 以下何者是 BJT 的單一增益頻寬(Unity-gain bandwidth)之正確描述? (A)單一增益頻寬值與(Cπ+Cμ)成正比 (B)單一增益頻寬值與輸出電阻 ro有關 (C)定義為當 hfe的絕對值隨頻率增加而減少至 1 時,所對應的頻率值 (D)單一增益頻寬值為一常數,不隨集極電流而改變
#1066912
28 若電晶體操作於主動區(Forward Active Region),電流增益 β 為定值,關於小訊號模型之敘述下列何者錯誤? (A)電流 IC越大則轉導值(gm)越小 (B)Cπ>Cμ (C)電流 IC越大 ro越小 (D)電流 IC越大 rπ越小
#1066913
29 如圖所示之接面場效電晶體(JFET)放大器,已知工作點閘源極電壓 VGS 為-2.2V,汲極電流 ID 為2mA,IDSS為 10mA,夾止電壓(Pinch-off Voltage)VP為-4V,不考慮接面場效電晶體的交流輸出阻 抗 rd的影響,則此放大器的輸出阻抗 Zo約為多少? (A)560 Ω (B)1.2 kΩ (C)3.3 kΩ (D)12 kΩ
#1066914
30 圖示放大器中電晶體 Q1 與 Q2特性完全相同,β=100,電源流 I = 0.5mA,RL=10kΩ,則其電壓增益Vo/Vi約為: (A)0.97 (B)25 (C)50 (D)100
#1066915
31 一放大器的高頻響應可用以下的轉移函數來表示,其-3dB 頻率約為多少? (A)1×104 rad/s (B)4×104rad/s (C)8×104rad/s (D)2×105rad/s
#1066916