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試題詳解

試卷:112年 - 112 身心障礙特種考試_五等_電子工程:電子學大意#113943 | 科目:初等/五等/佐級◆電子學大意

試卷資訊

試卷名稱:112年 - 112 身心障礙特種考試_五等_電子工程:電子學大意#113943

年份:112年

科目:初等/五等/佐級◆電子學大意

26 有一如圖之空乏型MOSFET電路,若VSD= 2.5 V, Vtp = 1.5 V,μpCox(W/L)= 1mA/V2,當流過偏壓電阻 R1、R2 之電流為 0.1ID,則 R1、R2 約為何?

(A) R1 = 16.6 kΩ,R2 = 63.4 kΩ
(B) R1 = 20.6 kΩ,R2 = 59.4 kΩ
(C) R1 = 22.6 kΩ,R2 = 57.4 kΩ
(D) R1 = 24.6 kΩ,R2 = 55.4 kΩ

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