27 如圖所示之電路，假設 MOS 電晶體操作在飽和區， mA/V 2，λ = 0，CGS = 15 pF，CGD = 4 pF 且 VGS – VTH = 350 mV，求輸出端之 -3dB 頻率為何？ (A) 7.9 MHz(B) 17.9 MHz(C) 27.9 MHz(D) 37.9 MHz

27 如圖所示之電路，假設 MOS 電晶體操作在飽和區，

mA/V ²，λ = 0，C_GS= 15 pF，C_GD = 4 pF 且 V_GS – V_TH = 350 mV，求輸出端之 -3dB 頻率為何？
(A) 7.9 MHz
(B) 17.9 MHz
(C) 27.9 MHz
(D) 37.9 MHz

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統計： A(7), B(84), C(21), D(9), E(0) #979460

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pole~zero

B1 · 2015/11/21

#1196602

25 關於 BJT 電晶體之敘述，下列何者錯誤？ (A)若電晶體操作於主動區，其基極與射極之接面電容 Cπ較基極與集極之接面電容 Cμ為大 (B)若電晶體操作於飽和區，其基極與集極之接面電容 Cμ較操作於主動區時為大 (C)若電晶體操作於主動區時，其電流增益 ic /ib較操作於飽和區時為大 (D)爾利電壓 VA（Early voltage）與電晶體操作於主動區時之輸出阻抗成反比

27 如圖所示之電路，假設 MOS 電晶體操作在飽和區， mA/V ²，λ = 0，C_GS= 15 pF，C_GD = 4 pF 且 V_GS – V_TH = 350 mV，求輸出端之 -3dB 頻率為何？
(A) 7.9 MHz
(B) 17.9 MHz
(C) 27.9 MHz
(D) 37.9 MHz

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