27 當一MOS電晶體操作於飽和模式時,其轉移電導值gm與汲極電流ID的關係是(不考慮短通道效應):
(A) gm ∝ I/1D
(B) gm ∝ 1/√ID
(C) gm ∝√ID
(D) gm ∝ I1D
(A) gm ∝ I/1D
(B) gm ∝ 1/√ID
(C) gm ∝√ID
(D) gm ∝ I1D
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統計: A(7), B(0), C(40), D(9), E(0) #1108695
統計: A(7), B(0), C(40), D(9), E(0) #1108695