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試題詳解

試卷:99年 - 99 身心障礙特種考試_五等_電子工程:電子學大意#47090 | 科目:初等/五等/佐級◆電子學大意

試卷資訊

試卷名稱:99年 - 99 身心障礙特種考試_五等_電子工程:電子學大意#47090

年份:99年

科目:初等/五等/佐級◆電子學大意

27 一個MOSFET完整的小信號等效電路模型如下所示。請問Cdb產生的原因為何? 
(A)兩層隔開之導電層相互之間受電場感應堆積電荷所致
(B) pn 接面於逆偏壓條件(reverse biased condition)下,pn 兩層半導體在界面附近電荷量變化所致
(C) pn 接面於順偏壓條件(forward biased condition)下,導通電流在界面附近堆積電荷所致
(D)半導體晶格內缺陷中心捕捉電荷,改變局部電荷分佈所致
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詳解 (共 1 筆)

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未解鎖
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