27 一個MOSFET完整的小信號等效電路模型如下所示。請問C
db產生的原因為何?
(A)兩層隔開之導電層相互之間受電場感應堆積電荷所致
(B) pn 接面於逆偏壓條件(reverse biased condition)下,pn 兩層半導體在界面附近電荷量變化所致
(C) pn 接面於順偏壓條件(forward biased condition)下,導通電流在界面附近堆積電荷所致
(D)半導體晶格內缺陷中心捕捉電荷,改變局部電荷分佈所致
詳解 (共 1 筆)
未解鎖
Cdb是pn接面逆向偏壓產生的電容,所以...