28 下列對於 MOSFET 共源極架構放大器的頻率響應特性敘述中,何者錯誤?
(A)低-3 dB 頻率與電晶體內部電容無關,而是與外部電容有關
(B)高-3 dB 頻率受到米勒效應的影響而變大
(C)當外部電容愈大,低-3 dB 頻率愈小
(D)在場效電晶體內部電容中,Cgd 對於高-3 dB 頻率的影響最大

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統計: A(16), B(85), C(33), D(25), E(0) #668223

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#2264864
米勒電容>Cgd=>總電容變...
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私人筆記#7654803
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