103年 - 103 鐵路特種考試_佐級_電子工程：電子學大意#18075

科目：初等/五等/佐級◆電子學大意 | 年份：103年 | 選擇題數：40 | 申論題數：0

試卷資訊

所屬科目：初等/五等/佐級◆電子學大意

選擇題 (40)

1 如圖所示為臨界電位比較器，已知其電源電壓為±15 V，則使輸出改變狀態之 V_in轉折電壓為何？

(A)+5 V (B)-5 V (C)+15 V (D)-15 V

2 下列關於理想運算放大器的輸出特性，何者錯誤？ (A)零共模增益(B)無限大共模拒斥(C)常用為差動輸入(D)常用為交流耦合

3 一使用理想運算放大器的微分電路，當 RC 乘積值變大時，其輸出相對輸入之相位移為何？ (A)變大 (B)變小 (C)保持-90°不變 (D)保持-180°不變

4 如圖所示之電路，其邏輯函數為下列何者？

5 有一邏輯閘電路設計如左圖所示，設 PMOS、NMOS 的電流—電壓（I-V）特性一樣，只是偏壓極性相反，亦即臨界電壓（Threshold Voltage）絕對值相同，且在相同的偏壓下有相同的通道電流。若已知此電路的轉移特性（Voltage transfer characteristic）曲線如右圖所示，試研判在曲線 A 點兩電晶體 MP1、MN1 的工作狀態。

(A)電晶體 MP1 的工作狀態為截止（Cut-off）區、電晶體 MN1 的工作狀態為截止（Cut-off）區 (B)電晶體 MP1 的工作狀態為三極管（Triode）區、電晶體 MN1 的工作狀態為截止（Cut-off）區 (C)電晶體 MP1 的工作狀態為三極管（Triode）區、電晶體 MN1 的工作狀態為飽和（Saturation）區 (D)電晶體 MP1 的工作狀態為飽和（Saturation）區、電晶體 MN1 的工作狀態為飽和（Saturation）區

6 在一般 MOSFET 元件中，為何閘極電流幾乎為零？ (A)因為有閘絕緣層在通道上方(B)因為有空乏區在通道上方 (C)因為閘極反偏(D)因為元件靠電壓驅動

7 雙極性接面電晶體中，收集多數載子的電極稱為： (A)源極(B)基極(C)集極(D)閘極

8 一個理想二極體，在逆向偏壓時： (A)電流為零(B)電壓為零(C)電阻為零(D)電容為零

9 一般電流計可以利用並聯電阻加大電流計的量測範圍，細部電路如下圖所示。若電流計本身的電阻 Rm = 1 kΩ，最大可容許通過的滿載電流 Im_max = 100 μA。已知加入的並聯電阻值分別為 Ra = 9.09 Ω、 Rb = 0.909 Ω、Rc = 0.101 Ω，今將切換開關接到 B 接點，試研判這樣的組態在電表正負端接點之間最大的電流量測範圍？

(A)100 μA (B)1 mA (C)10 mA (D)100 mA

10 若 P-N 接面二極體之導通電壓為 0.7 V，導通電阻值為 0 Ω。則 2 V 電壓源流出之電流值為何？

(A)1.5 mA (B)1.3 mA (C)1.1 mA (D)0.7 mA

11 今欲設計二極體整流電路使 vO產生負極性的電壓輸出，下列何者正確？

12 圖示由理想二極體構成電路，若電阻 R 為 0.5 kΩ，則電流 I 為若干 mA？

(A)6 (B)8 (C)10 (D)12

13 如圖所示之電路，二極體皆為理想，則有關此電路之敘述，下列何者正確？

(A)C₁的耐壓為 2 V_m (B)C₁+C₃的耐壓為 4 V_m (C)C₂+C₄的耐壓為 3 V_m (D)D₄的峰值反向電壓為 2 V_m

14 如圖所示之電路，假設二極體導通之壓降為 0.7 V，輸入電壓 vi為一峰值 10 V 之交流正弦波，試求輸出電壓之最大負值為何？

(A)-5.3 V (B)-10.7 V (C)-14.3 V (D)-20.7 V

15 如圖所示之電路，輸入電壓 vi為一交流弦波，有效值為 100 V，頻率為 60 Hz，二極體導通之壓降皆為 0.7 V，求二極體之峰值反向電壓約為何？

(A)17.4 V (B)34.7 V (C)69.4 V (D)104.1 V

16 一般二極體在固定電流順偏導通狀況下的壓降，其溫度係數（Temperature Coefficient）為： (A)零溫度係數(B)正溫度係數 (C)負溫度係數(D)正負溫度係數依導通電壓大小而定

17 對理想二極體之敘述，下列何者錯誤？ (A)順向時視為短路，逆向時視為開路(B)順向電阻等於零，逆向電阻無限大 (C)順向電壓等於零，逆向電流無限大(D)無順向電壓降，無逆向電流

18 雙極性接面電晶體的各種組態放大器，何者最適合作輸出端的阻抗匹配？ (A)共基極放大器（CB）(B)共集極放大器（CC）(C)共射極放大器（CE）(D)共汲極放大器（CD）

19 分析下圖之電路，若 BJT 操作在順向主動區（forward active region）且轉導值 gm為 10 mA / V，β=10， RE=1 kΩ，RC=10 kΩ，忽略元件之輸出電阻 ro，試求 vo / vi約為多少？

(A)5 (B)8 (C)12 (D)15

20 如圖所示共射極放大器（CE）（偏壓電路略去未繪），其電壓增益 A_v≡v_o / v_i大致可表為：

(A)-g_mR_C (B)-g_m(R_C+rπ ) (C)-R_C/(R_E+r_e) (D)-R_sig/R_E

21 若下圖電路中之 BJT 電晶體操作於飽和區，下列何種調整方式可讓電晶體進入順向主動區（forward active region）？

(A)減小 VCC (B)加大 VB (C)加大 RE (D)加大 RC

22 下列那一項為影響放大器低頻響應的主要因素？ (A)使用的電晶體型式(B)放大器的負載電容(C)放大器的電壓增益(D)放大器中的耦合電容

23 如圖所示之接面場效電晶體（JFET）放大器，已知工作點（Operating Point）閘源極電壓 V_GS為-2.6 V，汲極電流 I_D為 2.6 mA，I_DSS為 8 mA，夾止電壓（Pinch-off Voltage）V_P為-6 V，則此放大器的輸入阻抗 Zi約為多少？

(A)470 kΩ (B)680 kΩ (C)1 MΩ (D)1.8 MΩ

24 圖示雙極性接面電晶體（BJT）電路，電晶體 β = 100，V_BE = 0.7 V，當電路處最佳工作點，則電阻 R_B約為若干 kΩ？

(A)115 (B)230 (C)460 (D)575

25 關於 MOSFET 電晶體之輸出阻抗，下列敘述何者錯誤？ (A)相同電流且寬長比（W / L）相同之條件下，通道長度越長輸出阻抗越大 (B)固定元件尺寸之條件下，電流越大輸出阻抗越大 (C)電晶體操作在飽和區（saturation）時之輸出阻抗較操作在三極管區（triode region）時之輸出阻抗大 (D)輸出阻抗是由於通道調變效應所造成

26 已知一 BJT 電晶體之 β = 100，g_m = 0.01 A / V，求圖中電路之 R_in值？

(A)1 kΩ (B)10 kΩ (C)100 kΩ (D)500 kΩ

27 如圖電路所示，若電晶體參數 β = 100，Cμ = 2 pF，Cπ = 6 pF，則其高頻-3dB 頻率約為多少 kHz？

(A)110 (B)220 (C)330 (D)550

28 下列對於 MOSFET 共源極架構放大器的頻率響應特性敘述中，何者錯誤？ (A)低-3 dB 頻率與電晶體內部電容無關，而是與外部電容有關 (B)高-3 dB 頻率受到米勒效應的影響而變大 (C)當外部電容愈大，低-3 dB 頻率愈小 (D)在場效電晶體內部電容中，Cgd 對於高-3 dB 頻率的影響最大

29 一般 MOSFET 單級放大器架構中，小訊號特性輸出阻抗較低的是那一種？ (A)共源極(B)共汲極(C)共閘極(D)具源極電阻之共源極

30 如圖所示一放大器，外接電容為 C_C1、C_C2和 C_S，MOSFET 的寄生電容為 C_gs 和 C_gd。有關此放大器電路在中頻的增益（Mid-band gain），下列敘述何者正確？

(A)主要是受外接電容的影響 (B)主要是受 MOSFET 寄生電容的影響 (C)受外接電容與 MOSFET 寄生電容的影響程度均相同 (D)均不受外接電容與 MOSFET 寄生電容的影響

31 下列為一被動式濾波器（Passive filter）。試問此電路轉移函數（Transfer function）T(s)≡VO / Vi的數學形式為何？

32 下列何者可產生方波？ (A)考畢子（Colpitts）振盪器 (B)無穩態多諧振盪器（Astable Multivibrator） (C)雙穩態多諧振盪器（Bistable Multivibrator） (D)韋恩橋式（Wien Bridge）振盪器

33 相較於共射極放大器（CE），下列有關共基極放大器（CB）之敘述，何者正確？ (A)輸入阻抗較大(B)頻率響應較佳 (C)輸出電壓與輸入電壓相位差180°(D)輸出阻抗較低.

34 下列何者為全通（All Pass）被動濾波器的主要功用之一？ (A)放大訊號(B)去除雜訊 (C)類比訊號轉換為數位訊號(D)提供相位移

35 圖為單端輸出差動放大器（Differential Amplifier）。其中R_E = 4.3 kΩ，R_C1 = R_C2 = R_E / 2，V_CC = -V_EE = 5 V，電晶體的 β 為 100，放大器的輸入共模（Common Mode）偏壓為 0 V。則差動放大器的共模拒斥比（Common Mode Rejection Ratio, CMRR）約為？

(A)344 (B)258 (C)172 (D)86

36 兩個共集極放大器串接之電壓增益為何？ (A)約 1000 (B)約 100 (C)約 10 (D)約 1

37 分析下圖之電路，若 MOSFET 皆操作在飽和區且轉導值 gm為 1 mA / V，忽略元件之輸出阻抗 r_O，試求 V_O / V_i？

(A)5 (B)10 (C)-5 (D)-10

38 有一電路的轉移函數

，則下列何者正確？(A) 半功率頻率為 100 rad / sec (B)增益為 100 dB 的頻率為 1 rad / sec (C)直流增益為 40 dB (D)高頻增益為 100

39 如圖振盪電路，U₁為理想運算放大器，假設二極體導通電壓 V_D0 = 0.7 V。已知 V = 15 V、R₁ = 10 kΩ、 R_f = 20.3 kΩ、R₂ =3 kΩ、R₃=1 kΩ、R₄ = 1 kΩ、R₅ = 3 kΩ。在放大器 U1 正端輸入設有一回授網路，其中 C_S = 16 nF、R_S = 5 kΩ、C_P = 16 nF、R_P = 5 kΩ。試求此電路輸出振盪電壓的峰對峰值（peak-to-peak value）約為多少？

(A)6 V (B)11 V (C)16 V (D)21 V

40 若欲提高雙極性接面電晶體（BJT）差動放大器之共模拒斥比（CMRR），則差動電路中之射極端以連接下列何種元件為較佳？ (A)定電流源(B)定電壓源(C)定電阻(D)定電容

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