5 有一邏輯閘電路設計如左圖所示,設 PMOS、NMOS 的電流—電壓(I-V)特性一樣,只是偏壓極性
相反,亦即臨界電壓(Threshold Voltage)絕對值相同,且在相同的偏壓下有相同的通道電流。若已
知此電路的轉移特性(Voltage transfer characteristic)曲線如右圖所示,試研判在曲線 A 點兩電晶體
MP1、MN1 的工作狀態。
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(A)電晶體 MP1 的工作狀態為截止(Cut-off)區、電晶體 MN1 的工作狀態為截止(Cut-off)區
(B)電晶體 MP1 的工作狀態為三極管(Triode)區、電晶體 MN1 的工作狀態為截止(Cut-off)區
(C)電晶體 MP1 的工作狀態為三極管(Triode)區、電晶體 MN1 的工作狀態為飽和(Saturation)區
(D)電晶體 MP1 的工作狀態為飽和(Saturation)區、電晶體 MN1 的工作狀態為飽和(Saturation)區
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統計: A(14), B(51), C(84), D(19), E(0) #668200
統計: A(14), B(51), C(84), D(19), E(0) #668200