40 若欲提高雙極性接面電晶體（BJT）差動放大器之共模拒斥比（CMRR），則差動電路中之射極端以 連接下列何種元件為較佳？
(A)定電流源
(B)定電壓源
(C)定電阻
(D)定電容

1 如圖所示為臨界電位比較器，已知其電源電壓為±15 V，則使輸出改變狀態之 Vin轉折電壓為何？ (A)+5 V (B)-5 V (C)+15 V (D)-15 V

2 下列關於理想運算放大器的輸出特性，何者錯誤？ (A)零共模增益(B)無限大共模拒斥(C)常用為差動輸入(D)常用為交流耦合

3 一使用理想運算放大器的微分電路，當 RC 乘積值變大時，其輸出相對輸入之相位移為何？ (A)變大 (B)變小 (C)保持-90°不變 (D)保持-180°不變

4 如圖所示之電路，其邏輯函數為下列何者？ 

5 有一邏輯閘電路設計如左圖所示，設 PMOS、NMOS 的電流—電壓（I-V）特性一樣，只是偏壓極性 相反，亦即臨界電壓（Threshold Voltage）絕對值相同，且在相同的偏壓下有相同的通道電流。若已 知此電路的轉移特性（Voltage transfer characteristic）曲線如右圖所示，試研判在曲線 A 點兩電晶體 MP1、MN1 的工作狀態。 (A)電晶體 MP1 的工作狀態為截止（Cut-off）區、電晶體 MN1 的工作狀態為截止（Cut-off）區 (B)電晶體 MP1 的工作狀態為三極管（Triode）區、電晶體 MN1 的工作狀態為截止（Cut-off）區 (C)電晶體 MP1 的工作狀態為三極管（Triode）區、電晶體 MN1 的工作狀態為飽和（Saturation）區 (D)電晶體 MP1 的工作狀態為飽和（Saturation）區、電晶體 MN1 的工作狀態為飽和（Saturation）區

6 在一般 MOSFET 元件中，為何閘極電流幾乎為零？ (A)因為有閘絕緣層在通道上方(B)因為有空乏區在通道上方 (C)因為閘極反偏(D)因為元件靠電壓驅動

7 雙極性接面電晶體中，收集多數載子的電極稱為： (A)源極(B)基極(C)集極(D)閘極

8 一個理想二極體，在逆向偏壓時： (A)電流為零(B)電壓為零(C)電阻為零(D)電容為零

9 一般電流計可以利用並聯電阻加大電流計的量測範圍，細部電路如下圖所示。若電流計本身的電阻 Rm = 1 kΩ，最大可容許通過的滿載電流 Immax = 100 μA。已知加入的並聯電阻值分別為 Ra = 9.09 Ω、 Rb = 0.909 Ω、Rc = 0.101 Ω，今將切換開關接到 B 接點，試研判這樣的組態在電表正負端接點之間 最大的電流量測範圍？ (A)100 μA (B)1 mA (C)10 mA (D)100 mA

10 若 P-N 接面二極體之導通電壓為 0.7 V，導通電阻值為 0 Ω。則 2 V 電壓源流出之電流值為何？ (A)1.5 mA (B)1.3 mA (C)1.1 mA (D)0.7 mA

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