29 若 NMOS 場效電晶體（FET）之汲極源極電壓 VDS＞閘極源極電壓 VGS＞門檻（threshold）電壓 Vth，下列何 者正確？
(A)電晶體操作在非飽和區
(B)電晶體操作在飽和區
(C)電晶體截止
(D)電晶體操作在飽和區和非飽和區交界處 

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統計： A(11), B(76), C(6), D(4), E(0) #677842

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#2174934
VGS > VT 在NMOS 代表...
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