阿摩線上測驗 登入

試題詳解

試卷：113年 - 113 初等考試_電子工程：電子學大意#118527 | 科目：初等/五等/佐級◆電子學大意

試卷資訊

試卷名稱：113年 - 113 初等考試_電子工程：電子學大意#118527

年份：113年

科目：初等/五等/佐級◆電子學大意

3 室溫下的 N 型矽半導體中，摻雜施體濃度為 1015 cm-3，其多數載子濃度與施體離子的正電荷濃度關 係為何？
(A)多數載子濃度大得多
(B)大約相等
(C)施體離子濃度大得多
(D)兩者無關
正確答案：登入後查看

詳解 (共 1 筆)

推薦的詳解#6999369
未解鎖
1. 題目解析 在三室溫下的N型矽半導體...
(共 938 字，隱藏中）
前往觀看
1
0

私人筆記 (共 2 筆)

私人筆記#5701301
未解鎖
初等/五等/佐級◆電子學大意#3719 ...
(共 516 字，隱藏中）
前往觀看
5
0
私人筆記#7466522
未解鎖
? 原理解析： 在 室溫下的 N 型矽...
(共 289 字，隱藏中）
前往觀看
0
0