3 室溫下的 N 型矽半導體中，摻雜施體濃度為 1015 cm-3，其多數載子濃度與施體離子的正電荷濃度關 係為何？
(A)多數載子濃度大得多
(B)大約相等
(C)施體離子濃度大得多
(D)兩者無關

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統計： A(9), B(30), C(4), D(0), E(0) #3190221

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