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初等/五等/佐級◆電子學大意
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96年 - 96 原住民族特種考試_五等_電子工程:電子學大意#24663
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33 如圖所示為穩壓電路,若其中 R1=1 kΩ,R2=20 kΩ,R3=20 kΩ,則輸出電壓V
o
為:
(A) 5 V
(B) 8 V
(C) 10 V
(D) 12 V
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統計:
A(9), B(5), C(29), D(1), E(0) #919764
詳解 (共 1 筆)
yo
B1 · 2019/09/17
#3582755
VR3=Vin=5VVO=2VR3=10...
(共 23 字,隱藏中)
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相關試題
34 小明在量測實驗室所作出的矽晶電晶體,發現開燈和關燈所量測到的電流-電壓特性相差很多。下 列何者為最可能的原因? (A)照光後元件發生崩潰現象 (B)照光後的輻射熱效應 (C)照光後,矽晶體吸光所產生的光電流 (D)照光後,矽晶體熱漲冷縮所誘發的電流改變
#919765
35 在共射極單級放大器中,其高頻響應最主要受限於下列何種效應? (A)厄利效應(Early Effect) (B)米勒效應(Miller Effect) (C)穿隧效應(Tunnel Effect) (D)崩潰效應(Breakdown Effect)
#919766
36 如圖所示,利用電晶體、二極體及電阻組成數位正邏輯電路,若 Vcc=5 V,電阻值 R1=4 kΩ、 R2=1.6 kΩ、R3=1 kΩ、R4=130 Ω,若輸入電壓 VA=5 V,且 VB=5 V,則下列敘述何者正確? (A) Q2截止、Q3導通、Q4截止、輸出電壓 Vo為高位準 (B) Q2截止、Q3截止、Q4導通、輸出電壓 Vo為低位準 (C) Q2導通、Q3導通、Q4截止、輸出電壓 Vo為高位準 (D) Q2導通、Q3截止、Q4導通、輸出電壓 Vo為低位準
#919767
37 以增強型(enhancement mode)MOSFET 當作負載的一個 NMOSFET 放大器,其輸出信號擺幅的最 大值為何? (A) VDD/2 (B) VDD (C) VDD+Vtn(臨限電壓) (D) VDD-Vtn
#919768
38 下面的通道形狀在下列那一種條件下會產生?(設 VGS>Vt) (A) VGS-VDS>Vt (B) VGS-VDS=Vt(C) VGS-VDS<Vt (D)皆不會
#919769
39 如圖所示電路,假設輸入電壓 Vi=5 V,而正、負飽和輸出電壓為 ± 15 V,則輸出電壓 Vo為: (A)+5 V (B)-5 V (C)+15 V (D)-15 V
#919770
40 場效應電晶體(FET)是屬於: (A)電流控制電流源(Current Controlled Current Source) (B)電壓控制電壓源(Voltage Controlled Voltage Source) (C)電流控制電壓源(Current Controlled Voltage Source) (D)電壓控制電流源(Voltage Controlled Current Source)
#919771
1.直流發電機中,決定導體電流方向、磁場方向及運動方向三者關係的是: (A)安培右手定則 (B)佛萊明右手定則 (C)佛萊明左手定則 (D)楞次定律
#919772
2.若將直流電動機之電流增為原來的2倍,磁通量減為原來的0.5倍,則其轉矩為原來的: (A)0.5 倍 (B)l 倍 (C)2 倍 (D)4 倍
#919773
3.某4極雙重疊繞組直流發電機,功率60KW,電壓30V,則其每一電樞導體電流為: (A) 125安培 (B) 200安培 (C) 250安培 (D) 300安培
#919774
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