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初等/五等/佐級◆電子學大意
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96年 - 96 原住民族特種考試_五等_電子工程：電子學大意#24663
科目：
初等/五等/佐級◆電子學大意 |
年份：
96年 |
選擇題數：
40 |
申論題數：
0
試卷資訊
所屬科目：
初等/五等/佐級◆電子學大意
選擇題 (40)
1 若圖中兩個二極體特性完全相同，則流過電路之電流為：
(A) I = I
S
(B)I = I
S
e
V/ η VT
(C)I = I
S
[ e
V/ 2η VT
-1] (D) I = I
S
[ e
V/ η VT
-1]
2 之 rπ值約為： (A) 0.4 KΩ (B) 0.5 KΩ (C) 0.6 KΩ (D) 0.7 KΩ
3 承上題，BJT 交流電路，其 R
o
值約為： (A) 65 Ω (B) 75 Ω (C) 85 Ω (D) 95 Ω
4 共閘極放大器的小信號等效電路如下圖所示，其輸入阻抗（R
i
）和輸出阻抗（R
o
）各為何？
5 下列有關場效應電晶體的敘述，何者正確？ (A)當閘極電壓超過臨限電壓（threshold voltage），在 p 通道增強型（enhancement type）場效應電晶 體中會產生一電洞反轉層（inversion layer） (B) p 通道接面場效應電晶體（JFET），閘極是 p 型材料所製成 (C)要使 p 通道增強型場效應電晶體導通，所加在閘極的電壓必需是正的而且要大於臨限電壓 (D)當 V
GS
＝0 時，p 通道接面場效應電晶體是不導通的
6 考慮二極體（diode）導通時的電壓降，今於輸入端施加信號 v
i
＝V
m
‧sin(ωt)，其波形如圖 1 所示。 圖 2 電路圖的輸出電壓 vo在穩態（steady state）時最為接近的波形為：
7 室溫時，有一矽塊含有施體濃度 N
D
＝2×10
15
/cm
3
，受體濃度 NA＝3×10
15
/cm
3
，若本質濃度為 n
i
＝1.5×10
10
/cm
3
，則自由電子濃度約為： (A) 1×10
15
/cm
3
(B) 3×10
10
/cm3 (C) 2×10
5
/cm
3
(D)4×10
8
/cm
3
8 V
o
的波形為： (A)三角波 (B)鋸齒波 (C)正弦波 (D)方波
9 承上題，V-電壓波形若由示波器量出，則應近似何種波形？ (A)正弦波 (B)三角波 (C)方波 (D)鋸齒波
10 雙極性接面電晶體（BJT）放大器的下列組態中，何者的輸入電阻較大？ (A) CE 組態 (B) CB 組態 (C) CC 組態 (D)疊接（cascode）組態
11 若一雙極性接面電晶體工作於作用區（active region），其 α＝0.99，則其 β 應為： (A) 99 (B) 49 (C) 39 (D) 29
12 下列何種濾波器之增益與頻率的關係如下圖所示？
(A)高通 (B)低通 (C)帶通 (D)全通
13 如圖所示是一個雙極性接面電晶體（BJT）電路，假設電晶體的 V
BE
＝0.7 V、β＝50，則 E 極最接近 的電壓值為：
(A)－2 V (B)－1 V (C) 1.5 V (D) 4 V
14 當一雙極性接面電晶體（BJT）工作於作用模式（active mode）時，其 IE、IB、IC三者之大小關係為 何？ (A) IE＞IB＞IC (B) IC＞IB＞IE (C) IE＞IC＞IB (D) IC＞IE＞IB
15 圖示為雙極性接面電晶體（BJT）的轉移特性曲線。若要使輸出電壓 vCE失真最小，其工作點應選擇 在：
(A) A (B) B (C) C (D) D
16 一多級放大器之電壓放大率為 1000 倍，其輸入阻抗為 10 KΩ、負載阻抗為 100 KΩ，則此多級放大 器之功率增益為多少分貝（dB）？ (A) 30 dB (B) 50 dB (C) 60 dB (D) 100 dB
17 如圖所示的振盪器電路，則 v
o
的波形為何？
(A)方波 (B)鋸齒波 (C)三角波 (D)弦波
18 若下圖電路放大器之飽和電壓為 ± 10 V，則下列何者為其可能之輸入－輸出轉換曲線？
19 下列關於 SR 正反器（SR Flip-Flop）之敘述，何者正確？ (A) R＝0，S＝0 則 Q＝0 (B) R＝1，S＝0 則 Q＝0 (C) R＝0，S＝1 則 Q＝0 (D) R＝1，S＝1 則 Q＝0
20 若一差動放大器（Differential amplifier）的輸入電壓為 V
i 1
＝150 µV，V
i 2
＝50 µV 時，其輸出電壓 V
o
＝101 mV；又當輸入電壓為 V
i l
＝110 µV，V
i 2
＝90 µV，其輸出電壓 V
o
＝21 mV，則該放大器之共 模拒斥比（CMRR）應為： (A) 400 (B) 200 (C) 100 (D) 50
21 下圖為一振盪器電路，已知 C＝0.01 µF，L＝4 µH，R
3
＝5 KΩ，R
4
＝100 KΩ，其中 R1/R2須至少大於 何值才能滿足振盪條件？
(A) 18 (B) 19 (C) 20 (D) 22
22 有一運算放大器的轉動率（Slew Rate）＝0.5 V/µs，假設此運算放大器之輸出電壓最大值為 5 V，則 此運算放大器在輸出不允許失真的狀況下，輸入所能允許正弦波之最高頻率約為： (A) 8.2 kHz (B) 15.9 kHz (C) 19.5 kHz (D) 31.8 kHz
23 如圖所示電路為一低通濾波器，則其輸出入電壓之轉移函數
為：
24 如下圖，兩 OPA 均為理想運算放大器，則下列何組電阻值可使電壓增益 V
o/
V
i
＝10？
(A) R1＝2 KΩ，R2＝4 KΩ，R3＝3 KΩ (B) R1＝3 KΩ，R2＝6 KΩ，R3＝3 KΩ (C) R1＝4 KΩ，R2＝2 KΩ，R3＝6 KΩ (D) R1＝1 KΩ，R2＝4 KΩ，R3＝5 KΩ
25 下圖雙級放大器中使用相同之電晶體，則下列敘述何者錯誤？
(A)電壓增益為單級放大器之平方 (B)轉移函數有兩個相同的主極點 (C)主極點頻率正比於偏壓電流（I） (D)輸出電阻反比於偏壓電流（I）
26 如下圖的電路，假設運算放大器為理想元件，則電路的閉迴路電壓增益
為：
(A) 2010 (B)－2010 (C) 1020 (D)－1020
27 如圖所示之 B 類推挽放大電路中，R
L
＝5 Ω，若已知其最大輸出功率為 10 W，則 V
CC
為：
(A) 7.07 V (B) 10 V (C) 14.14 V (D) 20 V
28 如圖所示電路，為一反相輸入型樞密特觸發（Schmitt Trigger）電路及其輸入－輸出曲線圖，若參考 電壓 V
ref
＝3 V，輸入電壓 V
i
為振幅± 10 V 之弦波，電阻 R
1
＝3 kΩ，R
2
＝2 kΩ，則遲滯（Hysteresis） 電壓 V
H
為：
(A) 30 V (B) 24 V (C) 12 V (D) 10 V
29 為何動態 RAM（DRAM）需要週期性的再生（Refresh）？ (A)因為電容非理想，會漏電 (B)因為電晶體非理想，會漏電 (C)因為基板會導電 (D)因為系統編碼需要
30 如圖電路設運算放大器為理想的，若 R1＝R2；R3＝R4，則 V
o
/(V
2
－V
1
)為：
(A) 2 (B) 1 (C) 1/2 (D) 0
31 如圖，下列何者正確？
(A) Y＝(A＋B)CD (B) Y＝AB＋C＋D (C) A＝0 則 Y＝0 (D) D＝1 則 Y＝0
32 下圖所示之電流源（current source）電路，若是已知電晶體 Q
2
係操作於順向作用區（forward active region），且其厄利電阻（Early resistance）為 r
o
，則下列敘述何者正確？
(A)輸出電流,I,會隨著電阻 R 的增加而增加，且此電流源之輸出電阻為r
o
(B)輸出電流,I,會隨著電阻 R 的增加而減少，且此電流源之輸出電阻為r
o
(C)輸出電流,I,會隨著電阻 R 的增加而增加，且此電流源之輸出電阻為無限大 (D)輸出電流,I,會隨著電阻 R 的增加而減少，且此電流源之輸出電阻為無限大
33 如圖所示為穩壓電路，若其中 R1＝1 kΩ，R2＝20 kΩ，R3＝20 kΩ，則輸出電壓V
o
為：
(A) 5 V (B) 8 V (C) 10 V (D) 12 V
34 小明在量測實驗室所作出的矽晶電晶體，發現開燈和關燈所量測到的電流－電壓特性相差很多。下 列何者為最可能的原因？ (A)照光後元件發生崩潰現象 (B)照光後的輻射熱效應 (C)照光後，矽晶體吸光所產生的光電流 (D)照光後，矽晶體熱漲冷縮所誘發的電流改變
35 在共射極單級放大器中，其高頻響應最主要受限於下列何種效應？ (A)厄利效應（Early Effect） (B)米勒效應（Miller Effect） (C)穿隧效應（Tunnel Effect） (D)崩潰效應（Breakdown Effect）
36 如圖所示，利用電晶體、二極體及電阻組成數位正邏輯電路，若 V
cc
＝5 V，電阻值 R
1
＝4 kΩ、 R
2
＝1.6 kΩ、R
3
＝1 kΩ、R
4
＝130 Ω，若輸入電壓 V
A
＝5 V，且 V
B
＝5 V，則下列敘述何者正確？
(A) Q
2
截止、Q
3
導通、Q
4
截止、輸出電壓 V
o
為高位準 (B) Q
2
截止、Q
3
截止、Q
4
導通、輸出電壓 V
o
為低位準 (C) Q
2
導通、Q
3
導通、Q
4
截止、輸出電壓 V
o
為高位準 (D) Q
2
導通、Q
3
截止、Q
4
導通、輸出電壓 V
o
為低位準
37 以增強型（enhancement mode）MOSFET 當作負載的一個 NMOSFET 放大器，其輸出信號擺幅的最 大值為何？ (A) V
DD
/2 (B) V
DD
(C) V
DD
＋V
tn
（臨限電壓） (D) V
DD
－V
tn
38 下面的通道形狀在下列那一種條件下會產生？（設 V
GS
＞V
t
）
(A) V
GS
－V
DS
＞V
t
(B) V
GS
－V
DS
＝V
t
(C) V
GS
－V
DS
＜V
t
(D)皆不會
39 如圖所示電路，假設輸入電壓 V
i
＝5 V，而正、負飽和輸出電壓為 ± 15 V，則輸出電壓 V
o
為：
(A)＋5 V (B)－5 V (C)＋15 V (D)－15 V
40 場效應電晶體（FET）是屬於： (A)電流控制電流源（Current Controlled Current Source） (B)電壓控制電壓源（Voltage Controlled Voltage Source） (C)電流控制電壓源（Current Controlled Voltage Source） (D)電壓控制電流源（Voltage Controlled Current Source）
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