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初等/五等/佐級◆電子學大意
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96年 - 96 原住民族特種考試_五等_電子工程:電子學大意#24663
> 試題詳解
27 如圖所示之 B 類推挽放大電路中,R
L
=5 Ω,若已知其最大輸出功率為 10 W,則 V
CC
為:
(A) 7.07 V
(B) 10 V
(C) 14.14 V
(D) 20 V
答案:
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統計:
A(12), B(16), C(10), D(5), E(0) #919758
詳解 (共 2 筆)
翁茂翔
B2 · 2017/05/10
#2181661
(VCC)2/2RL = P
(共 16 字,隱藏中)
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3
0
李 德
B1 · 2016/05/04
#1331325
這怎麼解呢?
0
0
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28 如圖所示電路,為一反相輸入型樞密特觸發(Schmitt Trigger)電路及其輸入-輸出曲線圖,若參考 電壓 Vref=3 V,輸入電壓 Vi為振幅± 10 V 之弦波,電阻 R1=3 kΩ,R2=2 kΩ,則遲滯(Hysteresis) 電壓 VH為: (A) 30 V (B) 24 V (C) 12 V (D) 10 V
#919759
29 為何動態 RAM(DRAM)需要週期性的再生(Refresh)? (A)因為電容非理想,會漏電 (B)因為電晶體非理想,會漏電 (C)因為基板會導電 (D)因為系統編碼需要
#919760
30 如圖電路設運算放大器為理想的,若 R1=R2;R3=R4,則 Vo/(V2-V1)為: (A) 2 (B) 1 (C) 1/2 (D) 0
#919761
31 如圖,下列何者正確? (A) Y=(A+B)CD (B) Y=AB+C+D (C) A=0 則 Y=0 (D) D=1 則 Y=0
#919762
32 下圖所示之電流源(current source)電路,若是已知電晶體 Q2係操作於順向作用區(forward active region),且其厄利電阻(Early resistance)為 ro,則下列敘述何者正確? (A)輸出電流,I,會隨著電阻 R 的增加而增加,且此電流源之輸出電阻為ro (B)輸出電流,I,會隨著電阻 R 的增加而減少,且此電流源之輸出電阻為ro (C)輸出電流,I,會隨著電阻 R 的增加而增加,且此電流源之輸出電阻為無限大 (D)輸出電流,I,會隨著電阻 R 的增加而減少,且此電流源之輸出電阻為無限大
#919763
33 如圖所示為穩壓電路,若其中 R1=1 kΩ,R2=20 kΩ,R3=20 kΩ,則輸出電壓Vo為: (A) 5 V (B) 8 V (C) 10 V (D) 12 V
#919764
34 小明在量測實驗室所作出的矽晶電晶體,發現開燈和關燈所量測到的電流-電壓特性相差很多。下 列何者為最可能的原因? (A)照光後元件發生崩潰現象 (B)照光後的輻射熱效應 (C)照光後,矽晶體吸光所產生的光電流 (D)照光後,矽晶體熱漲冷縮所誘發的電流改變
#919765
35 在共射極單級放大器中,其高頻響應最主要受限於下列何種效應? (A)厄利效應(Early Effect) (B)米勒效應(Miller Effect) (C)穿隧效應(Tunnel Effect) (D)崩潰效應(Breakdown Effect)
#919766
36 如圖所示,利用電晶體、二極體及電阻組成數位正邏輯電路,若 Vcc=5 V,電阻值 R1=4 kΩ、 R2=1.6 kΩ、R3=1 kΩ、R4=130 Ω,若輸入電壓 VA=5 V,且 VB=5 V,則下列敘述何者正確? (A) Q2截止、Q3導通、Q4截止、輸出電壓 Vo為高位準 (B) Q2截止、Q3截止、Q4導通、輸出電壓 Vo為低位準 (C) Q2導通、Q3導通、Q4截止、輸出電壓 Vo為高位準 (D) Q2導通、Q3截止、Q4導通、輸出電壓 Vo為低位準
#919767
37 以增強型(enhancement mode)MOSFET 當作負載的一個 NMOSFET 放大器,其輸出信號擺幅的最 大值為何? (A) VDD/2 (B) VDD (C) VDD+Vtn(臨限電壓) (D) VDD-Vtn
#919768
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