試題詳解

5 下列有關場效應電晶體的敘述，何者正確？
(A)當閘極電壓超過臨限電壓（threshold voltage），在 p 通道增強型（enhancement type）場效應電晶 體中會產生一電洞反轉層（inversion layer）
(B) p 通道接面場效應電晶體（JFET），閘極是 p 型材料所製成
(C)要使 p 通道增強型場效應電晶體導通，所加在閘極的電壓必需是正的而且要大於臨限電壓
(D)當 V_GS＝0 時，p 通道接面場效應電晶體是不導通的