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初等/五等/佐級◆電子學大意
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102年 - 102 地方政府特種考試_五等_電子工程:電子學大意#28835
> 試題詳解
34 差動放大器中的共模斥拒比 CMRR(Common-mode rejection ratio)愈大,則表示:
(A) A
d
愈小,A
cm
愈大
(B)該差動放大器愈差
(C)愈易消除雜訊
(D)電流源輸出電阻 R
0
與 CMRR 值無關
答案:
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統計:
A(10), B(5), C(133), D(5), E(0) #979252
詳解 (共 1 筆)
pole~zero
B1 · 2015/11/19
#1194480
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私人筆記 (共 1 筆)
Alice
2025/12/23
私人筆記#7665898
未解鎖
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其他試題
30 放大器在-3 dB 頻率時,其功率增益為在中頻段功率增益的多少倍? (A) 1.414 (B) 0.707 (C) 0.636 (D) 0.5
#979248
31 下列那一種振盪器之頻率穩定性最高? (A) RC 相移振盪器 (B)韋恩電橋振盪器 (C)考畢子振盪器 (D)石英晶體振盪器
#979249
32 分析以下之電路,若 BJT 操作在順向主動區(forward active region)且轉導值 gm為 10 mA/V,β = 10, MOSFET 之轉導值gm = 1 mA/V,忽略元件之輸出阻抗 ro,試求整體轉導增益 Io/Vi?(A) 100/11 mA/V (B) 1000/11 mA/V (C) 11 mA/V (D) 100 mA/V .
#979250
33 如圖所示之電路,假設電晶體操作在飽和區,忽略電晶體輸出電阻,ID = 1 mA,CGS = 50 fF, CGD = 10 fF,CDB = 15 fF,且 VGS-VTH = 200 mV,採用米勒(Miller)趨近法,求位於 VO 端之極點頻率為何?(f = 10-15) (A) 2.12 GHz (B) 4.12 GHz (C) 6.12 GHz (D) 8.12 GHz ..
#979251
35 圖中為一共射級架構的放大器電路,考慮其低頻響應,電容 CE所造成的極點頻率為何? (A) 1/CE/rπ (B) 1/ CE/(rπ+(RB||Rsig)/(β+1)) (C) 1/ CE/re (D) 1/ CE.(re+(RB||Rsig)/(β+1)).
#979253
36 某 NMOS 場效電晶體電路,電晶體之 Vt = 1 V、μnCox (W/L) = 1 mA/V2 、電容 Cgs = 8 fF、Cgd = 2 fF, 且 ID = 0.125 mA,則其單一增益頻率(unity-gain frequency)約為若干 rad/s?(f = 10-15) (A) 1 G (B) 10 G (C) 50 G (D) 100 G
#979254
37 如圖所示為達靈頓(Darlington)電路,若電晶體 Q1與 Q2之特性同為 VBE1 = VBE2 = 0.7 V,β1 = β2 = 50, 又 VCC = 10 V,R1 = 100 kΩ,R2 = 3 kΩ 則電流增益值為何? (A) 50 (B) 51 (C) 2000 (D) 2601
#979255
38 一內部補償的運算放大器其直流開路增益為 106 ,在 1 MHz 時交流開路增益為 60 dB,其 3 dB 頻率 為何? (A) 0.1 kHz (B) 1 kHz (C) 10 kHz (D) 100 kHz
#979256
39 一 BJT 電晶體 β = 100 操作在 IC = 2 mA,其電容為 Cπ = 8 pF、Cμ = 2 pF,求其 3 dB 頻率 ω。 (A)2 × 107 rad/s (B)4 × 107 rad/s (C)8 × 107 rad/s (D)1 × 108 rad/s
#979257
40 某三級串接放大器如下圖所示,若其電壓增益分別為 AV1 = 50,AV2 = 100,AV3 = 200,試求總電壓 增益為多少 dB? (A) 80 dB (B) 100 dB (C) 120 dB (D) 150 dB
#979258