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102年 - 102 地方政府特種考試_五等_電子工程：電子學大意#28835

科目：初等/五等/佐級◆電子學大意 | 年份：102年 | 選擇題數：40 | 申論題數：0

試卷資訊

所屬科目：初等/五等/佐級◆電子學大意

選擇題 (40)

1 若 P-N 接面二極體之導通電壓為 0.7 V，且導通電阻值為 0 Ω。關於以下電路之敘述，何者正確？ (A)若 A, B 點電壓皆為 5 V，則電阻電流為 0.7 mA (B)若 A 點電壓為 5 V，B 點電壓為 4 V，則電阻電流為 0.3 μA (C)若 A, B 點為邏輯準位輸入，其布林函數為 Vout = A + B (D)若 A 點電壓為 5 V，B 點電壓為 0.3 V，則電阻電流為 4 mA
2 分析圖中之電路，若運算放大器為理想，且 Vi = 4 V，則輸出電壓 Vo約為何？ (A) 8 V (B) 6 V (C) 4 V (D)-6 V
3 圖中理想運算放大器電路的輸出電壓 Vo為何？ (A) 3V1 + 2V2 (B) 2V1 + 3V2 (C) 6V1 + 4V2 (D) 4V1 + 6V2
4 下圖數位邏輯電路，輸出 F 為何？ (A) F = (B) F =  + AB (C) F = (D) F =  + AB
5 下圖的符號為何？ (A)加強型（enhancement）NMOSFET (B)空乏型（depletion）NMOSFET (C)加強型（enhancement）PMOSFET (D)空乏型（depletion）PMOSFET
6 一匹配的 CMOS 反相器，kn = 800 μA/V2 ，輸出總電容為 200 fF，當操作電源為 5 V 時，高準位至低 準位的傳播延遲時間（propagation delay）為何？（f = 10-15） (A) 20 ps (B) 40 ps (C) 80 ps (D) 100 ps
7 某 0.25 μm 製程中，MOSFET 元件通道長度均為 L = 0.25 μm，假設電子對電洞的遷移率比 μn/μp = 3， 要使 CMOS 反相器具有對稱的轉移特性，通道的寬度比 Wn/Wp應為多少？ (A) 3 (B) 1/3 (C) 9 (D) 1/9
8 下列有關發光二極體（LED）特性的敘述，何者錯誤？ (A)發光是操作在順向偏壓 (B)是少數載子彼此在空乏區內復合發出光線 (C)一般 LED 可由 GaAs, GaAsP, AlGaAsP, GaN 材料所製 (D)也是新一代的照明裝置
9 有關積體電路設計的趨勢，下列敘述何者錯誤？ (A)使用大電容以消除雜訊 (B)避免使用大電阻 (C)降低零件的尺寸大小 (D)低電壓電源
10 在負（n）型半導體材料中，主要的電流傳導載子是： (A)離子 (B)電子 (C)電洞 (D)原子
11 如圖振幅限制器（Limiter）電路，U1 為理想運算放大器，假設二極體導通電壓 VD0 = 0.7 V。已知 V = 15 V、R1 = 40 kΩ、Rf = 60 kΩ、R2 = 9 kΩ、R3 = 3 kΩ、R4 = 3 kΩ、R5 = 9 kΩ。對於輸出與輸 入電壓之間的轉移特性，下列曲線何者較正確？ (A) (B) (C) (D)
12 圖示整流電路，若交流電 vS之有效值電壓為 10 Vrms，二極體導通時的壓降 VD為 0.7 V，則 vO的電 壓平均值約為若干？ (A) 6 V (B) 8 V (C) 10 V (D) 16 V
13 如圖所示之電路，設二極體皆為理想，則有關此電路之敘述，下列何者正確？ (A) C2的耐壓為 Vm (B) C4的耐壓為 2 Vm (C) D4的峰值反向電壓為 2 Vm (D)此電路為半波四倍壓電路
14 如圖的二極體電路，二極體 D1、D2具有相同之特性。輸出電壓 VO的值為： (A)-10 V (B) 0 V (C) 2 V (D) 10 V
15 如圖電路中，D1與 D2均為理想二極體。當 VI = -5 V 時，VO的值為： (A)-5 V (B)-3 V (C)+2 V (D)+10 V
16 有一放大器電路如下圖所示，放大器 U1 為理想運算放大器。二極體 D1 順向電壓 VD0 = 0.7 V。若電 阻 R1 = 1 kΩ，交流電源 V1 = -5 V，試問節點 B 的電壓 VB應落在下列何範圍內？ (A) VB ≥ -4.0 V (B)-4.0 V > VB ≥ -4.5 V (C)-4.5 V > VB ≥ -5 V (D)-5.0 V > VB
17 二極體崩潰時會產生大的逆向電流，其主要原因有： (A)霍爾效應（Hall Effect）與通道長度調變效應（Channel Length Modulation Effect） (B)本體效應（Body Effect）與爾利效應（Early Effect） (C)齊納效應（Zener Effect）與雪崩效應（Avalanche Effect） (D)米勒效應（Miller Effect）與溫度效應（Temperature Effect）
18 如圖所示為一共閘（CG）放大器（偏壓電路未繪示），電晶體之 ro → ∞，gm = 1 mA/V。若 RS = 0.5 kΩ， RD = 3 kΩ，則此放大器之電壓增益 VO/VI為何？ (A) 2 V/V (B) 3 V/V (C) 6 V/V (D)∞
19 在 MOS 電晶體的小訊號模型中，輸出電阻 rO與汲極電流 ID的關係為： (A) rO ∝ID (B) rO ∝  (C) rO ∝  (D) rO與 ID無關
20 在共射極放大器中，因為那一項等效或實際的電路元件之存在，使得放大器不能被視為理想的單向 放大器（Unilateral amplifier）？ (A)射極電阻 (B)信號輸入端的耦合電容（Coupling Capacitor） (C)集極和射極間的輸出電阻（ro） (D)基極和集極間的空乏區電容（CBC）
21 在共射（CE）、共基（CB）、共集（CC）、疊接（Cascade）放大器組態中，具有最大輸出電阻的是： (A)共射放大器 (B)共基放大器 (C)共集放大器 (D)疊接放大器
22 有一 MOSFET 其臨界電壓為 Vt，爾利（Early）電壓為 VA，當正好工作於三極體區（Triode Region） 與飽和區（Saturation Region）之交界時，下列何者正確： (A) VGS = Vt (B) VGD = Vt (C) VDS = VGS + Vt (D) VDS = VGS - VA
23 當一 MOS 電晶體操作於飽和模式（saturation-mode）時，其汲極電流 ID與電晶體之過驅電壓（overdrive voltage）Vov的關係為： (A) ID正比於 1/Vov (B) ID與 Vov無關 (C) ID正比於 Vov (D) ID正比於 Vov2
24 若 MOSFET 電晶體操作於飽和區，下列敘述何者錯誤？ (A)相同過驅電壓（overdrive voltage）條件下，其轉導值（transconductance）與寬長比（W/L）成正比 (B)輸出阻抗與導通電流約成反比 (C)閘極電容與寬長比（W/L）成正比 (D)相同電流條件下，其轉導值（transconductance）與過驅電壓（overdrive voltage）成反比
25 圖示電路中場效電晶體 FET 之 Vt = -1 V、μPCox(W/L) = 0.5 mA/V2 ，若電壓 VD為 3 V，則電阻 RD應 為若干 kΩ？ (A) 4 (B) 6 (C) 12 (D) 24
26 圖為單端輸出差動放大器（Differential Amplifier）。其中RE = 4.3 kΩ，RC1 = RC2 = RE/2，VCC = -VEE = 5 V， 電晶體的 β 為 100，放大器的輸入共模（Common Mode）電壓為 0 V。則差動放大器的共模電壓增益 （Common Mode Voltage Gain）約為： (A) 1.0 (B) 0.5 (C) 0.25 (D) 0.125
27 如圖所示之電路，若 MOSFET 操作在飽和區（Saturation Region），下列何種方式無法提升放大器之 單一增益頻寬（Unity Gain Bandwidth）？ (A)降低 C 值 (B)降低 R 值 (C)選用寬長比（W/L）較大之電晶體 (D)增加 Vb
28 圖示電路中的電容 CE有何功用？ (A)提升輸入阻抗 (B)提升電壓增益 (C)濾去高頻雜訊 (D)頻率補償
29 一個工作在主動模式（active mode）之 BJT，其爾利電壓（Early Voltage）為 25 V，IC = 2.5 mA，則 其輸出電阻 rO之值約為： (A) 0.1 kΩ (B) 1 kΩ (C) 10 kΩ (D) 100 kΩ
30 放大器在-3 dB 頻率時，其功率增益為在中頻段功率增益的多少倍？ (A) 1.414 (B) 0.707 (C) 0.636 (D) 0.5
31 下列那一種振盪器之頻率穩定性最高？ (A) RC 相移振盪器 (B)韋恩電橋振盪器 (C)考畢子振盪器 (D)石英晶體振盪器
32 分析以下之電路，若 BJT 操作在順向主動區（forward active region）且轉導值 gm為 10 mA/V，β = 10， MOSFET 之轉導值gm = 1 mA/V，忽略元件之輸出阻抗 ro，試求整體轉導增益 Io/Vi？
(A) 100/11 mA/V (B) 1000/11 mA/V (C) 11 mA/V (D) 100 mA/V .

33 如圖所示之電路，假設電晶體操作在飽和區，忽略電晶體輸出電阻，ID = 1 mA，CGS = 50 fF， CGD = 10 fF，CDB = 15 fF，且 VGS-VTH = 200 mV，採用米勒（Miller）趨近法，求位於 VO 端之極點頻率為何？（f = 10-15） 

phpK2lQ2P(A) 2.12 GHz (B) 4.12 GHz (C) 6.12 GHz (D) 8.12 GHz 

..
34 差動放大器中的共模斥拒比 CMRR（Common-mode rejection ratio）愈大，則表示： (A) Ad愈小，Acm愈大 (B)該差動放大器愈差 (C)愈易消除雜訊 (D)電流源輸出電阻 R0 與 CMRR 值無關
35 圖中為一共射級架構的放大器電路，考慮其低頻響應，電容 CE所造成的極點頻率為何？ (A) 1/CE/rπ (B) 1/ CE/(rπ+(RB||Rsig)/(β+1)) (C) 1/ CE/re (D) 1/ CE．(re+(RB||Rsig)/(β+1)).
36 某 NMOS 場效電晶體電路，電晶體之 Vt = 1 V、μnCox (W/L) = 1 mA/V2 、電容 Cgs = 8 fF、Cgd = 2 fF， 且 ID = 0.125 mA，則其單一增益頻率（unity-gain frequency）約為若干 rad/s？（f = 10-15） (A) 1 G (B) 10 G (C) 50 G (D) 100 G
37 如圖所示為達靈頓（Darlington）電路，若電晶體 Q1與 Q2之特性同為 VBE1 = VBE2 = 0.7 V，β1 = β2 = 50， 又 VCC = 10 V，R1 = 100 kΩ，R2 = 3 kΩ 則電流增益值為何？ (A) 50 (B) 51 (C) 2000 (D) 2601
38 一內部補償的運算放大器其直流開路增益為 106 ，在 1 MHz 時交流開路增益為 60 dB，其 3 dB 頻率 為何？ (A) 0.1 kHz (B) 1 kHz (C) 10 kHz (D) 100 kHz
39 一 BJT 電晶體 β = 100 操作在 IC = 2 mA，其電容為 Cπ = 8 pF、Cμ = 2 pF，求其 3 dB 頻率 ω。 (A)2 × 107 rad/s (B)4 × 107 rad/s (C)8 × 107 rad/s (D)1 × 108 rad/s
40 某三級串接放大器如下圖所示，若其電壓增益分別為 AV1 = 50，AV2 = 100，AV3 = 200，試求總電壓 增益為多少 dB？ (A) 80 dB (B) 100 dB (C) 120 dB (D) 150 dB

申論題 (0)