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初等/五等/佐級◆電子學大意
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102年 - 102 地方政府特種考試_五等_電子工程:電子學大意#28835
> 試題詳解
21 在共射(CE)、共基(CB)、共集(CC)、疊接(Cascade)放大器組態中,具有最大輸出電阻的是:
(A)共射放大器
(B)共基放大器
(C)共集放大器
(D)疊接放大器
答案:
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統計:
A(4), B(43), C(24), D(30), E(0) #979239
詳解 (共 2 筆)
pole~zero
B1 · 2015/11/18
#1194163
10
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吳瑞峰
B2 · 2022/09/08
#5608105
cascade cascode?????...
(共 45 字,隱藏中)
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私人筆記 (共 1 筆)
Alice
2025/12/23
私人筆記#7665648
未解鎖
題目解析:放大器輸出電阻比較 在不同 ...
(共 344 字,隱藏中)
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其他試題
17 二極體崩潰時會產生大的逆向電流,其主要原因有: (A)霍爾效應(Hall Effect)與通道長度調變效應(Channel Length Modulation Effect) (B)本體效應(Body Effect)與爾利效應(Early Effect) (C)齊納效應(Zener Effect)與雪崩效應(Avalanche Effect) (D)米勒效應(Miller Effect)與溫度效應(Temperature Effect)
#979235
18 如圖所示為一共閘(CG)放大器(偏壓電路未繪示),電晶體之 ro → ∞,gm = 1 mA/V。若 RS = 0.5 kΩ, RD = 3 kΩ,則此放大器之電壓增益 VO/VI為何? (A) 2 V/V (B) 3 V/V (C) 6 V/V (D)∞
#979236
19 在 MOS 電晶體的小訊號模型中,輸出電阻 rO與汲極電流 ID的關係為: (A) rO ∝ID (B) rO ∝ (C) rO ∝ (D) rO與 ID無關
#979237
20 在共射極放大器中,因為那一項等效或實際的電路元件之存在,使得放大器不能被視為理想的單向 放大器(Unilateral amplifier)? (A)射極電阻 (B)信號輸入端的耦合電容(Coupling Capacitor) (C)集極和射極間的輸出電阻(ro) (D)基極和集極間的空乏區電容(CBC)
#979238
22 有一 MOSFET 其臨界電壓為 Vt,爾利(Early)電壓為 VA,當正好工作於三極體區(Triode Region) 與飽和區(Saturation Region)之交界時,下列何者正確: (A) VGS = Vt (B) VGD = Vt (C) VDS = VGS + Vt (D) VDS = VGS - VA
#979240
23 當一 MOS 電晶體操作於飽和模式(saturation-mode)時,其汲極電流 ID與電晶體之過驅電壓(overdrive voltage)Vov的關係為: (A) ID正比於 1/Vov (B) ID與 Vov無關 (C) ID正比於 Vov (D) ID正比於 Vov2
#979241
24 若 MOSFET 電晶體操作於飽和區,下列敘述何者錯誤? (A)相同過驅電壓(overdrive voltage)條件下,其轉導值(transconductance)與寬長比(W/L)成正比 (B)輸出阻抗與導通電流約成反比 (C)閘極電容與寬長比(W/L)成正比 (D)相同電流條件下,其轉導值(transconductance)與過驅電壓(overdrive voltage)成反比
#979242
25 圖示電路中場效電晶體 FET 之 Vt = -1 V、μPCox(W/L) = 0.5 mA/V2 ,若電壓 VD為 3 V,則電阻 RD應 為若干 kΩ? (A) 4 (B) 6 (C) 12 (D) 24
#979243
26 圖為單端輸出差動放大器(Differential Amplifier)。其中RE = 4.3 kΩ,RC1 = RC2 = RE/2,VCC = -VEE = 5 V, 電晶體的 β 為 100,放大器的輸入共模(Common Mode)電壓為 0 V。則差動放大器的共模電壓增益 (Common Mode Voltage Gain)約為: (A) 1.0 (B) 0.5 (C) 0.25 (D) 0.125
#979244
27 如圖所示之電路,若 MOSFET 操作在飽和區(Saturation Region),下列何種方式無法提升放大器之 單一增益頻寬(Unity Gain Bandwidth)? (A)降低 C 值 (B)降低 R 值 (C)選用寬長比(W/L)較大之電晶體 (D)增加 Vb
#979245