27 如圖所示之電路，若 MOSFET 操作在飽和區（Saturation Region），下列何種方式無法提升放大器之 單一增益頻寬（Unity Gain Bandwidth）？
(A)降低 C 值
(B)降低 R 值
(C)選用寬長比（W/L）較大之電晶體
(D)增加 Vb

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統計： A(7), B(24), C(8), D(61), E(0) #979245

詳解 (共 3 筆)

#3292880

單一增益頻率=增益*F(3db)

f(3db)=1/(2*PI*R*C)

Av=gm*R

(A)降低C值 F(3db)上升

(B)降低R值 F(3db)上升 Av下降

(C)W/L 增加 gm上升 Av上升

(D)Vb增加 (Vgs-Vt)上升 gm上升 Av上升


可以看出(B)R降低 Av會下降比f(3db)上升的還多所以單一增益頻率不會增加

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#1194463


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#5663220
個人淺見，題目是問『單一增益頻寬』，應該是指MOSFET電晶體本身的單一增益頻寬，題目敘述何者無法提升放大器之單一增益頻寬，容易誤導到去看R及C，以下是MOSFET這顆電晶體的單一增益頻寬公式：Wt=gm/Cgd+Cgs，因此選(B)與R值無關，至於(C)的W/L會影響寬長比，就會影響到接面電容或擴散電容大小，(D)增加Vb,也會影響MOS進入飽和區的順偏擴散電容大小、(A)降低C值也是誤導你，其實頻率響應就是在探討電容值，這個C一定會影響頻寬，所以選(B)電阻，最適合不過，答案沒有絕對，只有選最適合。
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私人筆記 (共 1 筆)

私人筆記#7665777
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