32 分析以下之電路，若 BJT 操作在順向主動區（forward active region）且轉導值 g_m為 10 mA/V，β = 10， MOSFET 之轉導值g_m = 1 mA/V，忽略元件之輸出阻抗 r_o，試求整體轉導增益 I_o/V_i？

(A) 100/11 mA/V
(B) 1000/11 mA/V
(C) 11 mA/V
(D) 100 mA/V .

這題的Vo必須設在BJT的射極答案才會成立，題目沒有標示容易造成疑惑。

 這題哪裡可以看出Ro? 不是都忽視ro了 

一個是CE一個是CD 要怎麼有1/gm的輸出阻抗?

另外B是甚麼?看不懂這個算式...

這題最快解法是用電流狂噴法

{Vi/(1/gm)}*{10*/(10+1)}*10=Io  MOS的1/gm=1故消去

輸入電流*分流後流進基極的電流*BJT電流放大倍率等於Io

移項後可得Vi/Io=100/11 略正負號

因為1F後面乘10是gm不是B所以答案沒錯啊

                 Vo

             --------

    Io          Ro                        1

------- = ------  = AV x  ---------               

    Vi           Vi                       Ro

              1                        B

Ro= ----------  x -------------- 

            gm                    B+1

答案沒1000/121可以選  那就約略解帶Ro=1/gm

用IE去推IC  從射極看過去的電阻約為1/gm 在乘10/11就是IC囉

只是想解釋pole大最後乘的那個10應該是gm所以單位才沒錯

B是BJT的電流增益

上面我自己解讀1樓算式的看法拉

                                                 Vi*gm1*(10//Rpi)*B                                            

我自己是用IO=(Vo1/Rpi)*B= -----------------------

                                                             Rpi

    IO           1m*(10//1)k*10          100

--------= ------------------- = ----------

    Vi                    1k                         11

沒學過電流狂噴法~