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初等/五等/佐級◆電子學大意
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102年 - 102 地方政府特種考試_五等_電子工程:電子學大意#28835
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23 當一 MOS 電晶體操作於飽和模式(saturation-mode)時,其汲極電流 I
D
與電晶體之過驅電壓(overdrive voltage)Vov的關係為:
(A) I
D
正比於 1/V
ov
(B) ID與 V
ov
無關
(C) I
D
正比於 V
ov
(D) I
D
正比於 V
ov
2
答案:
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統計:
A(4), B(6), C(12), D(98), E(0) #979241
詳解 (共 1 筆)
pole~zero
B1 · 2015/11/19
#1194734
8
0
私人筆記 (共 1 筆)
Alice
2025/12/23
私人筆記#7665680
未解鎖
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24 若 MOSFET 電晶體操作於飽和區,下列敘述何者錯誤? (A)相同過驅電壓(overdrive voltage)條件下,其轉導值(transconductance)與寬長比(W/L)成正比 (B)輸出阻抗與導通電流約成反比 (C)閘極電容與寬長比(W/L)成正比 (D)相同電流條件下,其轉導值(transconductance)與過驅電壓(overdrive voltage)成反比
#979242
25 圖示電路中場效電晶體 FET 之 Vt = -1 V、μPCox(W/L) = 0.5 mA/V2 ,若電壓 VD為 3 V,則電阻 RD應 為若干 kΩ? (A) 4 (B) 6 (C) 12 (D) 24
#979243
26 圖為單端輸出差動放大器(Differential Amplifier)。其中RE = 4.3 kΩ,RC1 = RC2 = RE/2,VCC = -VEE = 5 V, 電晶體的 β 為 100,放大器的輸入共模(Common Mode)電壓為 0 V。則差動放大器的共模電壓增益 (Common Mode Voltage Gain)約為: (A) 1.0 (B) 0.5 (C) 0.25 (D) 0.125
#979244
27 如圖所示之電路,若 MOSFET 操作在飽和區(Saturation Region),下列何種方式無法提升放大器之 單一增益頻寬(Unity Gain Bandwidth)? (A)降低 C 值 (B)降低 R 值 (C)選用寬長比(W/L)較大之電晶體 (D)增加 Vb
#979245
28 圖示電路中的電容 CE有何功用? (A)提升輸入阻抗 (B)提升電壓增益 (C)濾去高頻雜訊 (D)頻率補償
#979246
29 一個工作在主動模式(active mode)之 BJT,其爾利電壓(Early Voltage)為 25 V,IC = 2.5 mA,則 其輸出電阻 rO之值約為: (A) 0.1 kΩ (B) 1 kΩ (C) 10 kΩ (D) 100 kΩ
#979247
30 放大器在-3 dB 頻率時,其功率增益為在中頻段功率增益的多少倍? (A) 1.414 (B) 0.707 (C) 0.636 (D) 0.5
#979248
31 下列那一種振盪器之頻率穩定性最高? (A) RC 相移振盪器 (B)韋恩電橋振盪器 (C)考畢子振盪器 (D)石英晶體振盪器
#979249
32 分析以下之電路,若 BJT 操作在順向主動區(forward active region)且轉導值 gm為 10 mA/V,β = 10, MOSFET 之轉導值gm = 1 mA/V,忽略元件之輸出阻抗 ro,試求整體轉導增益 Io/Vi?(A) 100/11 mA/V (B) 1000/11 mA/V (C) 11 mA/V (D) 100 mA/V .
#979250
33 如圖所示之電路,假設電晶體操作在飽和區,忽略電晶體輸出電阻,ID = 1 mA,CGS = 50 fF, CGD = 10 fF,CDB = 15 fF,且 VGS-VTH = 200 mV,採用米勒(Miller)趨近法,求位於 VO 端之極點頻率為何?(f = 10-15) (A) 2.12 GHz (B) 4.12 GHz (C) 6.12 GHz (D) 8.12 GHz ..
#979251
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