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初等/五等/佐級◆電子學大意
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102年 - 102 地方政府特種考試_五等_電子工程:電子學大意#28835
> 試題詳解
23 當一 MOS 電晶體操作於飽和模式(saturation-mode)時,其汲極電流 I
D
與電晶體之過驅電壓(overdrive voltage)Vov的關係為:
(A) I
D
正比於 1/V
ov
(B) ID與 V
ov
無關
(C) I
D
正比於 V
ov
(D) I
D
正比於 V
ov
2
答案:
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統計:
A(4), B(6), C(12), D(98), E(0) #979241
詳解 (共 1 筆)
pole~zero
B1 · 2015/11/19
#1194734
8
0
私人筆記 (共 1 筆)
Alice
2025/12/23
私人筆記#7665680
未解鎖
(共 0 字,隱藏中)
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1
0
相關試題
1 若 P-N 接面二極體之導通電壓為 0.7 V,且導通電阻值為 0 Ω。關於以下電路之敘述,何者正確? (A)若 A, B 點電壓皆為 5 V,則電阻電流為 0.7 mA (B)若 A 點電壓為 5 V,B 點電壓為 4 V,則電阻電流為 0.3 μA (C)若 A, B 點為邏輯準位輸入,其布林函數為 Vout = A + B (D)若 A 點電壓為 5 V,B 點電壓為 0.3 V,則電阻電流為 4 mA
#979219
2 分析圖中之電路,若運算放大器為理想,且 Vi = 4 V,則輸出電壓 Vo約為何? (A) 8 V (B) 6 V (C) 4 V (D)-6 V
#979220
3 圖中理想運算放大器電路的輸出電壓 Vo為何? (A) 3V1 + 2V2 (B) 2V1 + 3V2 (C) 6V1 + 4V2 (D) 4V1 + 6V2
#979221
4 下圖數位邏輯電路,輸出 F 為何? (A) F = (B) F = + AB (C) F = (D) F = + AB
#979222
5 下圖的符號為何? (A)加強型(enhancement)NMOSFET (B)空乏型(depletion)NMOSFET (C)加強型(enhancement)PMOSFET (D)空乏型(depletion)PMOSFET
#979223
6 一匹配的 CMOS 反相器,kn = 800 μA/V2 ,輸出總電容為 200 fF,當操作電源為 5 V 時,高準位至低 準位的傳播延遲時間(propagation delay)為何?(f = 10-15) (A) 20 ps (B) 40 ps (C) 80 ps (D) 100 ps
#979224
7 某 0.25 μm 製程中,MOSFET 元件通道長度均為 L = 0.25 μm,假設電子對電洞的遷移率比 μn/μp = 3, 要使 CMOS 反相器具有對稱的轉移特性,通道的寬度比 Wn/Wp應為多少? (A) 3 (B) 1/3 (C) 9 (D) 1/9
#979225
8 下列有關發光二極體(LED)特性的敘述,何者錯誤? (A)發光是操作在順向偏壓 (B)是少數載子彼此在空乏區內復合發出光線 (C)一般 LED 可由 GaAs, GaAsP, AlGaAsP, GaN 材料所製 (D)也是新一代的照明裝置
#979226
9 有關積體電路設計的趨勢,下列敘述何者錯誤? (A)使用大電容以消除雜訊 (B)避免使用大電阻 (C)降低零件的尺寸大小 (D)低電壓電源
#979227
10 在負(n)型半導體材料中,主要的電流傳導載子是: (A)離子 (B)電子 (C)電洞 (D)原子
#979228
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