23 當一 MOS 電晶體操作於飽和模式(saturation-mode)時,其汲極電流 ID與電晶體之過驅電壓(overdrive voltage)Vov的關係為:
(A) ID正比於 1/Vov
(B) ID與 Vov無關
(C) ID正比於 Vov
(D) ID正比於 Vov2

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統計: A(4), B(6), C(12), D(98), E(0) #979241

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