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初等/五等/佐級◆電子學大意
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102年 - 102 地方政府特種考試_五等_電子工程:電子學大意#28835
> 試題詳解
7 某 0.25 μm 製程中,MOSFET 元件通道長度均為 L = 0.25 μm,假設電子對電洞的遷移率比 μ
n
/μ
p
= 3, 要使 CMOS 反相器具有對稱的轉移特性,通道的寬度比 Wn/Wp應為多少?
(A) 3
(B) 1/3
(C) 9
(D) 1/9
答案:
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統計:
A(12), B(83), C(6), D(9), E(0) #979225
詳解 (共 1 筆)
pole~zero
B1 · 2015/12/14
#1217798
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私人筆記 (共 1 筆)
Alice
2025/12/23
私人筆記#7665255
未解鎖
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其他試題
3 圖中理想運算放大器電路的輸出電壓 Vo為何? (A) 3V1 + 2V2 (B) 2V1 + 3V2 (C) 6V1 + 4V2 (D) 4V1 + 6V2
#979221
4 下圖數位邏輯電路,輸出 F 為何? (A) F = (B) F = + AB (C) F = (D) F = + AB
#979222
5 下圖的符號為何? (A)加強型(enhancement)NMOSFET (B)空乏型(depletion)NMOSFET (C)加強型(enhancement)PMOSFET (D)空乏型(depletion)PMOSFET
#979223
6 一匹配的 CMOS 反相器,kn = 800 μA/V2 ,輸出總電容為 200 fF,當操作電源為 5 V 時,高準位至低 準位的傳播延遲時間(propagation delay)為何?(f = 10-15) (A) 20 ps (B) 40 ps (C) 80 ps (D) 100 ps
#979224
8 下列有關發光二極體(LED)特性的敘述,何者錯誤? (A)發光是操作在順向偏壓 (B)是少數載子彼此在空乏區內復合發出光線 (C)一般 LED 可由 GaAs, GaAsP, AlGaAsP, GaN 材料所製 (D)也是新一代的照明裝置
#979226
9 有關積體電路設計的趨勢,下列敘述何者錯誤? (A)使用大電容以消除雜訊 (B)避免使用大電阻 (C)降低零件的尺寸大小 (D)低電壓電源
#979227
10 在負(n)型半導體材料中,主要的電流傳導載子是: (A)離子 (B)電子 (C)電洞 (D)原子
#979228
11 如圖振幅限制器(Limiter)電路,U1 為理想運算放大器,假設二極體導通電壓 VD0 = 0.7 V。已知 V = 15 V、R1 = 40 kΩ、Rf = 60 kΩ、R2 = 9 kΩ、R3 = 3 kΩ、R4 = 3 kΩ、R5 = 9 kΩ。對於輸出與輸 入電壓之間的轉移特性,下列曲線何者較正確? (A) (B) (C) (D)
#979229
12 圖示整流電路,若交流電 vS之有效值電壓為 10 Vrms,二極體導通時的壓降 VD為 0.7 V,則 vO的電 壓平均值約為若干? (A) 6 V (B) 8 V (C) 10 V (D) 16 V
#979230
13 如圖所示之電路,設二極體皆為理想,則有關此電路之敘述,下列何者正確? (A) C2的耐壓為 Vm (B) C4的耐壓為 2 Vm (C) D4的峰值反向電壓為 2 Vm (D)此電路為半波四倍壓電路
#979231