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初等/五等/佐級◆電子學大意
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102年 - 102 地方政府特種考試_五等_電子工程:電子學大意#28835
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15 如圖電路中,D1與 D2均為理想二極體。當 VI = -5 V 時,VO的值為:
(A)-5 V
(B)-3 V
(C)+2 V
(D)+10 V
答案:
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統計:
A(5), B(97), C(13), D(6), E(0) #979233
詳解 (共 1 筆)
pole~zero
B1 · 2015/11/18
#1194064
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私人筆記 (共 1 筆)
Alice
2025/12/23
私人筆記#7665421
未解鎖
二極體狀態與節點電壓 D2 狀態:...
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相關試題
16 有一放大器電路如下圖所示,放大器 U1 為理想運算放大器。二極體 D1 順向電壓 VD0 = 0.7 V。若電 阻 R1 = 1 kΩ,交流電源 V1 = -5 V,試問節點 B 的電壓 VB應落在下列何範圍內? (A) VB ≥ -4.0 V (B)-4.0 V > VB ≥ -4.5 V (C)-4.5 V > VB ≥ -5 V (D)-5.0 V > VB
#979234
17 二極體崩潰時會產生大的逆向電流,其主要原因有: (A)霍爾效應(Hall Effect)與通道長度調變效應(Channel Length Modulation Effect) (B)本體效應(Body Effect)與爾利效應(Early Effect) (C)齊納效應(Zener Effect)與雪崩效應(Avalanche Effect) (D)米勒效應(Miller Effect)與溫度效應(Temperature Effect)
#979235
18 如圖所示為一共閘(CG)放大器(偏壓電路未繪示),電晶體之 ro → ∞,gm = 1 mA/V。若 RS = 0.5 kΩ, RD = 3 kΩ,則此放大器之電壓增益 VO/VI為何? (A) 2 V/V (B) 3 V/V (C) 6 V/V (D)∞
#979236
19 在 MOS 電晶體的小訊號模型中,輸出電阻 rO與汲極電流 ID的關係為: (A) rO ∝ID (B) rO ∝ (C) rO ∝ (D) rO與 ID無關
#979237
20 在共射極放大器中,因為那一項等效或實際的電路元件之存在,使得放大器不能被視為理想的單向 放大器(Unilateral amplifier)? (A)射極電阻 (B)信號輸入端的耦合電容(Coupling Capacitor) (C)集極和射極間的輸出電阻(ro) (D)基極和集極間的空乏區電容(CBC)
#979238
21 在共射(CE)、共基(CB)、共集(CC)、疊接(Cascade)放大器組態中,具有最大輸出電阻的是: (A)共射放大器 (B)共基放大器 (C)共集放大器 (D)疊接放大器
#979239
22 有一 MOSFET 其臨界電壓為 Vt,爾利(Early)電壓為 VA,當正好工作於三極體區(Triode Region) 與飽和區(Saturation Region)之交界時,下列何者正確: (A) VGS = Vt (B) VGD = Vt (C) VDS = VGS + Vt (D) VDS = VGS - VA
#979240
23 當一 MOS 電晶體操作於飽和模式(saturation-mode)時,其汲極電流 ID與電晶體之過驅電壓(overdrive voltage)Vov的關係為: (A) ID正比於 1/Vov (B) ID與 Vov無關 (C) ID正比於 Vov (D) ID正比於 Vov2
#979241
24 若 MOSFET 電晶體操作於飽和區,下列敘述何者錯誤? (A)相同過驅電壓(overdrive voltage)條件下,其轉導值(transconductance)與寬長比(W/L)成正比 (B)輸出阻抗與導通電流約成反比 (C)閘極電容與寬長比(W/L)成正比 (D)相同電流條件下,其轉導值(transconductance)與過驅電壓(overdrive voltage)成反比
#979242
25 圖示電路中場效電晶體 FET 之 Vt = -1 V、μPCox(W/L) = 0.5 mA/V2 ,若電壓 VD為 3 V,則電阻 RD應 為若干 kΩ? (A) 4 (B) 6 (C) 12 (D) 24
#979243
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